바이폴라 트랜지스터의 전류전압특성실험

소개

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목차

Introduction
Problem Statement
Implementation
Result
Conclusion

본문내용

Introduction
NMOS와 PMOS 트랜지스터의 기본적인 성질을 이해한다.
- 4007 MOS의 각 PIN를 활용하여 각 노드에 내부적 결선이 되어있으므로 자유롭게 이용가능하다.
NMOS와 PMOS를 사용한 기초 응용회로를 구현한다.
Problem Statement
▶ Describe what is the problem.
- 디바이스 확인
E1.1 PMOS 소자 파라미터 측정
목표 : 문턱전압 Vt와 를 신속하게 구하는 방법을 익힌다.
실험 사항
a) 접지에서 노드 A까지 전압 VAO를 측정하고 Vtp를 계산하시오.
c) 10㏀ 가변저항을 DVM에 병렬로 연결하고 DVM의 전압이 1V 정도가 되도록 가변저항을 조정한다.
E1.2 NMOS 소자 파라미터의 측정
목표 : n 채널 소자의 파라미터 Vtn 과 kn을 빠르게 구하는 방법을 익힌다.
실험 사항
a)먼저, 전원전압과 DVM 전압 측정값의 차이를 이용하여 Vtn을 구하시오.
b)적당한 저항을 DVM에 병렬로 연결하여(예를 들면 1㏀) 디바이스의 전압과 전 류, 그때의 kn을 찾아라.
E2.1 디바이스 상호 컨덕턴스
목표 : 디바이스의 트랜스컨덕턴스 값을 구한다.
실험 사항
a) 신호 발생기를 출력이 0이 나오도록 조정하여라. V2=6V이고, V1을 VC=5V가 되도록 조정하여라. V1을 측정하라.
b) 노드 I에 1 Vpp 사인파를 입력하고, 노드 A와 C의 전압을 ac 커플링시켜 오실로스코프에서 관측하시오. 전압이득 를 구하고 조건을 이용하여 을 구하시오.
c) 입력 신호를 0으로 하고, V2를 +15V로 설정한 후, VC=5V가 될 때까지 V1을 키우고, 이 때 V1을 측정하시오.
d) 이제, 노드 I에서 주파수 1kHz의 1V VPP인 사인파를 입력하고, 노드 A와 C의 신호를 측정하시오. 노드 A에서 노드 C의 전압 이득은 얼마인가? gm을 계산하시오.
E2.2 신호 왜곡
목표 : 대신호를 입력하여 파형왜곡을 실험한다.
실험 사항
a) 오실로스코프의 채널 A와 B를 사용하고, 채널 B는 교류 결합으로 연결하시오. 채널 A 의 신호를 수평이동 시키고, 스케일을 조정하여 채널 A와 B의 파형이 일치하도록 만드시오.
b) 입력과 출력의 피크 값이 10%차이가 날 때 까지 파형 발생기의 출력을 올리시오. { 만약 스크린에 너무 큰 신호가 얻어진다면,

참고자료

· 없음