트랜지스터의 동작특성 예비레포트

소개

트랜지스터의 동작특성 예비레포트

목차

1) 목적
2) 관련 이론
3) 실험 • 실습 사용기기 및 재료
4) 실험 순서 및 방법

본문내용

1) 목적

- 트랜지스터의 바이어스를 이해한다.
- ICB0를 측정한다.

2) 관련 이론

트랜지스터는 AC 신호를 증폭하거나 또는 스위치로 어떤 상태를 on 시키거나 off 시키는 소자이다. 3개의 반도체 물질을 가지며 따라서 두 개의 PN접합이 있고 3개의 단자가 있다. 그래서 두 개의 접합을 가지고 있다고 해서 바이폴러 접합 트랜지스터(BJT)라고 하는 것이다.
바이폴러 접합 트랜지스터에는 두 가지 형태가 존재하는데 하나는 NPN 트랜지스터이며 두 개의 N형 영역 사이에 P형 영역이 사이에 끼여 있는 형태이다. 또 하나는 PNP형 트랜지스터인데 두 개의 P형 영역에 하나의 N형 영역이 삽입되어 있다



그림 21-2 바이폴러 NPN 트랜지스터의 블록도와 심벌을 보여 준다.
트랜지스터는 세 개의 영역이 있는데 하나의 N형 물질층을 이미터, P형 물질층을 베이스, 또 하나의 N형 물질층을 컬렉터라 한다. 이미터는 매우 두껍게 도핑되었으며 전류가 잘 흐르도록 많은 전자를 갖고 있다. 얇게 도핑된 베이스는 이미터로부터 전하를 컬렉터로 흐르게 하도록 제어를 한다. 트랜지스터가 NPN인가 PNP형인가에 따라 전하 캐리어(carrier)는 정공(PNP형)이 될 수도 있고 전자(NPN형)가 될 수도 있다. 가장 큰 영역인 컬렉터는 이미터만큼 두껍게 도핑되지는 않았고 빠르게 열을 소비하도록 설계되었다.
그림 21-3은 PNP 트랜지스터와 심벌을 나타내며 이미터는 두껍게 도핑되어서 많은 자유 정공이 캐리어로서 동작한다. NPN과 PNP 트랜지스터의 극성은 서로 반대이며 인가된 어떤 전압에 대해서 반대로 동작한다.

참고자료

· 없음