실험13 JFET와 증폭기

소개

실험결과에 대해 충실히 분석한 레포트입니다.

이론과의 연관성과 이론에 대해 간략한 요약이 기재되어 있습니다.

관련 실험 레포트 작성시 참고자료로 이용하신다면

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목차

1. 도입
2. 이론
3. 실험결과 및 결과분석
4. Discussion
5. 결론
6. 참고문헌

본문내용

1. 도입

JFET와 증폭기의 특성을 살펴본다.

*실험 목적
(1) JFET의 드레인 전류 ID 에 대한 드레인-소스 전압 VDS, 게이트-소스 전압 VGS 의 영향을 고찰
(2) JFET의 드레인 특성을 실험으로 측정
(3) 공통-소스 JFET 증폭기의 이득을 측정

2. 이론

JFET 는 크게 JFET(접합형 FET)와 MOSFET(MOS형 FET)로 나눌 수 있다.

JFET 는 n채널, p채널 으로 나눌 수 있다. n 채널은 Gate에서 소자 쪽으로 지각 방향으로 화살표로 표시 되며 전류가 흐르도록 표시된다. 소자에서 바깥쪽으로 전류가 나가는 것을 표시하는 것을 p채널 이라 한다.
[그림2]

MOSFET는 Enhancement MOSFET 와 Depletion MOSFET로 나눈다.






N채널의 물질은 drain에서 source까지의 전류 통로를 제공한다. N채널 JFET에서는 drain은 (+)인가 함으로서 자유 전자가 drain쪽으로 이동하도록 한다.
즉, 전류는 source 쪽으로 흐른다.
Gate 는 ,P형 반도체로 이루어 지며 , P-N 접합이 형성된다. 이때 P-N 접합은 반드시 역방향 바이어스(reverse bias)가 되어야 한다.
순방향 바이어스(forward bias)가 되면 전류가 흐르므로 전계효과 FET 소자로서 기능을 갖지 못한다

참고자료

· 전자회로 실험, 이승훈