트랜지스터의 특성과 증폭회로 실험 결과리포트

소개

실험 제목 : 실험5. Bipolar Junction Transisor의 특성과 증폭회로
실험 목적 : BJT의 각 단자들 사이의 전압과 전류를 측정하여 트랜지스터의 특성을 이해한다. BJT를 이용하여 소신호 증폭회로를 구성하고, 증폭현상을 이해한다.

목차

1.실험개요

2.실험결과 및 분석
(1)실험한회로도
(2)트랜지스터특성실험
-전류증폭률측정
-소신호증폭회로실험

본문내용

1.1. 트랜지스터 특성 실험
1.1.1. 전류증폭률 측정
1.1.1.1. 1.1.1.1. 실험결과 분석-1
1.1.1.1.1. 아래 그래프는 Vbb에 따른 전압의 변화를 그래프로 나타낸 것이다.
1.1.1.1.2. Vrb : Vbb가 높아 질수록 꾸준히 증가하는 것을 볼 수 있다. 거의 선형적으로 증가함을 알 수 있었다. Vbb의 전압은 Vrb 와 Vbe 두 곳에 걸리는데 Vbb가 0.5V가 된 이 후로는 Vbe가 일정하게(0.61V)로 유지되어 결국 올라간 Voltage는 모두 Vrb에 걸리기 때문이다. Vrb가 의미하는 것은 컨트롤하는 전류의 양이다. Vrb에는 일정한 저항이 연결 되어 있으므로 이 값은 곧 Ib라 볼 수 있는데 Ib를 이용하여 Ic를 컨트롤 하므로 입력 전류라고 볼 수 있다.
1.1.1.1.3. Vbe : Vbe는 처음에 살짝 감소하였다가 Vbb가 0.5V가 될 때까지 증가하다가 Vbe가 0.61V가 걸리고 난 이후로는 꾸준한 Voltage를 유지하였다. 이것은 다이오드의 특성으로 볼 수 있으며 0.61V가 걸림으로써 다이오드 스위치를 `ON` 했다고 볼 수 있다. 왜 0.61V 인가는 다이오드 내부의 고체 특성이라고 볼 수 있다. 만약 다이오드가 다른 종류로 바뀐다면 그 전압 또한 바뀔 것이다.
1.1.1.1.4. Vrc : Vrc 는 Ib 전류에 대한 출력 전류로 볼 수 있는데 Vrc는 Vbb가 0.5V 이후 (다이오드 스위치가 ON된 이후)부터 늘어나기 시작하였으며 4.7V 정도까지 걸린 이후에는 Active Mode에서 Saturation Mode로 넘어가 더 이상 전압이 증가하지 않고 일정한 것을 볼 수 있다. Saturation Mode는 Vrc에 이미 충분한 전압이 걸려 있어 Vc 의 전압이 낮아져 Vbc가 순방향이 되어 생기는 것으로 볼 수 있으며 어찌 되었든 Vcc보다는 낮은 전압이 걸려야 하므로 4.7V이후로 더 이상 올라가지 못하는 것으로도 볼 수 있다. Vcc는 5V이기 때문이다.
1.1.1.1.5. Vce : Vce 값은 Vcc-Vrc로 볼 수 있다.

참고자료

· 없음