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스퍼터링된 산화 아연 박막의 레이저 직접 식각 시기판에 의한 영향 (Effects of Various Substrates on the Laser Direct Etching of the Sputtered ZnO Films)

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최초등록일 2025.07.16 최종저작일 2013.12
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스퍼터링된 산화 아연 박막의 레이저 직접 식각 시기판에 의한 영향
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    서지정보

    · 발행기관 : 한국전기전자재료학회
    · 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 26권 / 12호 / 894 ~ 898페이지
    · 저자명 : 오기택, 권상직, 조의식

    초록

    글라스 및 플렉서블 기판 등 다양한 기판 위에 스퍼터링으로 증착된 산화 아연 박막을 1,064 nm 파장의 Nd:YVO4 레이저를 이용하여 직접 패터닝을 시도하였다. 실험 결과, 특정 주파수 및 레이저 빔 스캔 스피드 조건에서 폴리카보네이트(PC) 기판 위 증착된 산화 아연 박막의 식각된 패턴을 얻을 수 있었다. 낮은 스캔 스피드의 경우 플렉서블 기판이 레이저 빔 에너지의 밀집으로 인하여 파괴되는 것을 확인하였으며, 기판에 따른 박막 패터닝 결과의 차이는 기판의 열팽창 계수와 열전도도의 차이로부터 발생했다 결론내릴 수 있었다.

    영어초록

    Zinc oxide(ZnO) was sputtered on various glass and flexible substrates such as polyethylene terephthalate(PET) and polycarbonate(PC). A Q-switched Nd:YVO4 laser with a wavelength of 1,064 nm was used for the direct etching of ZnO films. It was possible to obtain laser etched line patterns on the ZnO films on PC substrate at some specific laser beam conditions. In the flexible substrates, more thermal energy of laser beam is expected to be spreaded for the etching process.

    참고자료

    · 없음
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