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Pt 전극을 이용한 Al0.33Ga0.67N 쇼트키형 자외선 수광소자의 동작특성

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최초등록일 2025.07.13 최종저작일 2003.07
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Pt 전극을 이용한 Al0.33Ga0.67N 쇼트키형 자외선 수광소자의 동작특성
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    서지정보

    · 발행기관 : 대한전자공학회
    · 수록지 정보 : 전자공학회논문지 - SD / 40권 / 7호 / 18 ~ 25페이지
    · 저자명 : 申尙勳, 이용현, 이정희, 한윤봉, 함성호, 이재훈, 丁榮魯, 李明福, 李仁煥

    초록

    유기금속 화학기상 증착법(MOCVD)을 이용하여 사파이어 기판에 AlGaN/n+-GaN 구조와 AlGaN/ AlGaN interlayer/n+-GaN 구조로 성장시킨 AlGaN 층을 이용하여 쇼트키형 자외선 수광소자를 제작하였다. 성장층은 약 1018의 캐리어 농도와 각각 236과 269 cm2/Vs의 이동도를 가진다. 메사구조를 형성하기 위해 ICP 장비로 식각한 후, Si3N4로 절연한 뒤 Ti/Al/Ni/Au와 Pt를 이용하여 저항성 전극 및 쇼트키 전극을 형성하였다. 그리고 interlayer를 갖는 Pt/Al0.33Ga0.67N의 전기적 특성은 -5 V에서 1 ㎁의 낮은 누설전류를 보였고, interlayer가 없는 Pt/Al0.33Ga0.67N은 0.1 ㎂로 나타났다. 광측정 결과, interlayer를 갖는 Pt/Al0.33Ga0.63N 쇼트키 수광소자는 차단파장이 약 300 ㎚이며, 광응답도는 280 ㎚에서 0.15 A/W, 그리고 자외선 대 가시광선 제거비는 1.5×104로 우수한 반응특성을 보였다.

    참고자료

    · 없음
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