TiO2/Si3N4/Ag/Si3N4/TiO2 다층구조에서 Si3N4 버퍼층이 투과율에 미치는 영향 (Effect of Si3N4 Buffer Layer on Transmittance of TiO2/Si3N4/Ag/Si3N4/TiO2 Multi Layered Structure)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 25권 / 1호 / 44 ~ 47페이지
· 저자명 : 이서희, 장건익

초록

TiO2/Si3N4/Ag/Si3N4/TiO2 다층 구조는 PDP의 투명전극으로 적용하기 위해 설계되었다. 다층막은 DC/RF magnetron sputtering 장비를 이용하여 상온에서 유리 기판에 증착하였고, EMP 프로그램을 통해 박막의 광학적 특성을 설계하였다. 박막을 증착하는 동안 TiO2/Ag/TiO2 구조에서 Ag가 산화되어 PDP 필터의 특성이 쉽게 저하된다. 본 연구에서는 TiO2/Ag/TiO2 구조에서 Ag의 산화를 방지하기 위하여 Si3N4 버퍼층을 TiO2와 Ag층 사이에 삽입하여 확산 방지막으로 사용되었다. Si3N4 버퍼층이 TiO2/Ag/TiO2 구조에서 확산 방지막으로써 적용이 가능함을 확인하였다.

영어초록

The TiO2/Si3N4/Ag/Si3N4/TiO2 multi layered structure was designed for the possible application of transparent electrodes in PDP (Plasma Display Panel). Multi layered film was deposited on a glass substrate at room temperature by DC/RF magnetron sputtering system and EMP (Essential Macleod Program) was adopted to optimize the optical characteristics of film. During the deposition process, the Ag layer in TiO2/Ag/TiO2 became heavily oxidized and the filter characteristic was degraded easily.
In thus study, Si3N4 layer was used as a diffusion buffer layer between TiO2 and Ag. in order to prevent the oxidation of Ag layer in TiO2/Si3N4/Ag/Si3N4/TiO2 structure. It was confirmed that Si3N4 layer is one of candidate materials acting as diffusin barrier between TiO2/Ag/TiO2.

참고자료

· 없음