F4-TCNQ 분자를 정공 수송층에 이용한 유기 발광 소자의 전기적 특성 향상 (Enhancement of Electrical Properties of Organic Light-Emitting Diodes Using F4-TCNQ Molecule as a Hole-Transport Layer)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 30권 / 11호 / 717 ~ 721페이지
· 저자명 : 나수환, 이원재

초록

우리는 정공 수송층으로 2,3,5,6-fluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4-TCNQ)을 이용하여 유기 발광 소자의 전기적 특성을 살펴 보았다. F4-TCNQ 의 효과가 소자에서 어떠한 영향을 주는지 알아보기 위해 기본 소자 구조로 ITO(170 nm)/TPD(40 nm)/Alq3(60 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(100 nm)의 소자를 제작하여 살펴 보았다. 그리고 소자 구조에서 ITO 전극과 TPD 층 사이에 F4-TCNQ를 TPD 층에 도핑하거나 또 하나의 독립적인 층을 만들어 정공 수송의 발광효율, 휘도, 전류 효율, 구동 전압 등에 대한 특성연구를 한 결과 F4-TCNQ-유도체를 이용한 소자는 이용하지 않은 소자에 비하여 구동 전압이 감소함을 확인하였다. 특히, F4-TCNQ를 독립층으로 사용한 소자를 제작할 경우 구동 전압이 감소되었을 뿐 아니라, 동시에 전류 효율도 향상되었다.

영어초록

We studied the performance enhancement of organic light-emitting diodes (OLEDs) using 2,3,5,6-fluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4-TCNQ) as the hole-transport layer. To investigate how F4-TCNQ affects the deviceperformance, we fabricated a reference device in an ITO (170 nm)/TPD(40 nm)/Alq3(60 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(100 nm)structure. Several types of test devices were manufactured by either doping the F4-TCNQ in the TPD layer or forminga separate F4-TCNQ layer between the ITO anode and TPD layer. N,N'-diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)-benzidine (TPD),tri(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3), and F4-TCNQ layers were formed by thermal evaporation at a pressure of 10-6torr. The deposition rate was 1.0–1.5 Å/s for TPD and Alq3. The LiF was subsequently thermally evaporated at adeposition rate of 0.2 Å/s. The performance of the OLEDs was considered with respect to the turn-on voltage, luminance,and current efficiency. It was found that the use of F4-TCNQ in OLEDs enhances the performance of the device. Inparticular, the use of a separate layer of F4-TCNQ realizes better device performance than other types of OLEDs.

참고자료

· 없음