다양한 버퍼층 위에 증착한 In2O3 박막의 구조, 광학 및 전기적 특성 (Structural, Optical, and Electrical Properties of In2O3 Thin Films Deposited on Various Buffer Layers)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 25권 / 7호 / 491 ~ 495페이지
· 저자명 : 김문환

초록

유리 기판 상부에 성장된 다양한 버퍼층의 변화가 라디오파 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착된 In2O3 투명 전도막의 특성에 미치는 효과를 조사하였다. In2O3 박막은 증착 온도 400℃, 산소 유량비 100%에서 성장되었다. 버퍼층의 변화에 따른 In2O3 박막의 광학, 전기 및 구조 특성은 각각 자외선-가시광 분광기, 홀 측정 장치, X-선 회절장치로 조사하였다. In2O3 박막의 특성은 버퍼층의 종류에 따라 서로 다른 결과를 나타내었다. ZnO 버퍼층 상부에 증착된 In2O3 박막은 파장 430-1,100 nm 영역에서 평균 투과율 89%, 비저항값 7.4×10-3 Ωcm를 보였다. 실험 결과는 적절한 버퍼층을 사용함으로써 최적의 조건을 갖는 투명 전도막을 성장시킬 수 있음을 제시한다.

영어초록

The effects of various buffer layers on the In2O3 transparent conducting films grown on glass substrates by radio-frequency reactive magnetron sputtering were investigated. The In2O3 thin films were deposited at 400℃ of growth temperature and 100% of oxygen flow rate. The optical, electrical, and structural and morphological properties of the In2O3 thin films subjected to buffer layers were examined by using ultraviolet-visible spectrophotometer, Hall-effect measurements, and X-ray diffractometer, respectively. The properties of In2O3 thin films showed different results, depending on the type of buffer layer. As for the In2O3 thin film deposited on ZnO buffer layer, the average transmittance was 89% and the electrical resistivity was 7.4×10-3 Ωcm. The experimental results provide a way for growing the transparent conducting film with the optimum condition by using an appropriate buffer layer.

참고자료

· 없음