Terbium 중간층 적용을 통한 Ni Germanide/P-type Ge의 비접촉저항 감소 연구 (A Study on Specific Contact Resistance Reduction of Ni Germanide/P-type Ge Using Terbium Interlayer)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 31권 / 1호 / 6 ~ 10페이지
· 저자명 : 신건호, 이맹, 이정찬, 송형섭, 김소영, 이가원, 오정우, 이희덕

초록

Ni germanide (NiGe)는 Ge MOSFETs의 소스/드레인(source/drain, S/D)에서 발생하는 접촉저항을 감소시키기 위해 가장 유망한 혼합 물질 중 하나이다. 하지만 지속적으로 고성능 MOSFETs을 개발하기 위해서는 NiGe와 doped Ge S/D 영역과의 비접촉저항을 감소시킬 필요가 있다. 본 논문에서는 NiGe와 p-type Ge (p-Ge) 사이의 비접촉저항을 감소시키기 위해 터븀(terbium, Tb) 중간층(inyerlayer)을 적용하여 형성한 NiGe을 제안하고 연구하였다. 전기적 특성을 확인한 결과 Tb 중간층을 적용하여 형성한 NiGe인 경우에 NiGe와 p-Ge 사이의 비접촉저항이 감소되었다. 이러한 비접촉저항 감소 원인을 파악하기 위해 X-ray Diffraction (XRD), Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS)의 분석 방법을 통해서 NiGe의 결정성과 원소 분포에 대해서 분석하였다. 그 결과 Tb의 영향으로 NiGe와 p-Ge 사이에서 붕소(boron, B) 농도의 증가가 비접촉저항 감소의 원인으로 판단되었다.

영어초록

Ni germanide (NiGe) is a promising alloy material with small contact resistance at the source/drain (S/D) ofGe MOSFETs. However, it is necessary to reduce the specific contact resistance between NiGe and the doped Ge S/Dregion in high-performance MOSFETs. In this study, a novel method is proposed to reduce the specific contact resistancebetween NiGe and p-type Ge (p-Ge) using a Tb interlayer. The specific contact resistance between NiGe and p-Ge wassuccessfully decreased with the introduction of the Tb interlayer. To investigate the mechanism behind the reduction inthe specific contact resistance, the elemental distribution and crystalline structure of NiGe were analyzed using secondaryion mass spectroscopy and X-ray diffraction. It is likely that the reduction in specific contact resistance was caused byan increase in the concentration of boron in the space between NiGe and p-Ge due to the influence of the Tb interlayer.

참고자료

· 없음