CBD 방법에 의한 ZnS 버퍼층 형성의 착화제 농도에 따른 영향 (Effect of the Concentration of Complexing Agent on the Formation of ZnS Buffer Layer by CBD Method)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 30권 / 10호 / 625 ~ 630페이지
· 저자명 : 권상직, 유인상

초록

본 연구에서는 CdS를 대체하기 위한 물질로서 ZnS를 CBD 방법으로 형성하는 방법에 관해 기술하였다. CBD 방법으로 ZnS 박막을 형성한 경우, 전구체인 ZnSO4와 CS(NH2)2 및 착화제인 NH4OH의 몰 농도를 최적화 시켜면 CIGS의 버퍼층으로서 CdS 대비하여 우수한 특성을 가질 것으로 예상되었다. 특히 증착률, 투과도 및 에너지 밴드갭 측면에서 CIGS의 버퍼층으로 적용하기에 적합한 것으로 나타 났다. ZnS의 최적화를 통해 유해한 특성을 갖는 Cd가 배제된 친환경적인 버퍼층의 제조가 가능할 것으로 기대된다.

영어초록

ZnS was chemically deposited as a buffer layer alternative to CdS, for use as a Cd-free buffer layer inCu(In1-xGax)Se2 (CIGS) solar cells. The deposition of a thin film of ZnS was carried out by chemical bathdeposition, following which the structural and optical properties of the ZnS layer were studied. For the experiments,zinc sulfate hepta-hydrate (ZnSO4•7H2O), thiourea (SC(NH2)2), and ammonia (NH4OH) were used as the reactingagents. The mole concentrations of ZnSO4 and SC(NH2)2 were fixed at 0.03 M and 0.8 M, respectively, while that ofammonia, which acts as a complexing agent, was varied from 0.3 M to 3.5 M. By varying the mole concentration ofammonia, optimal values for parameters like optical transmission, deposition rate, and surface morphology weredetermined. For the fixed mole concentrations of 0.03 M ZnSO4•7H2O and 0.8 M SC(NH2)2, it was established that3.0 M of ammonia could provide optimal values of the deposition rate (5.5 nm/min), average optical transmittance(81%), and energy band gap (3.81 eV), rendering the chemically deposited ZnS suitable for use as a Cd-free bufferlayer in CIGS solar cells.

참고자료

· 없음