제조공법에 따른 디스플레이 소자용 silver-grid 투명전극층의 특성 비교 (Comparison of characteristics of silver-grid transparent conductive electrodes for display devices according to fabrication method)

서지정보

· 발행기관 : 한국결정성장학회
· 수록지 정보 : 한국결정성장학회지 / 27권 / 2호 / 75 ~ 79페이지
· 저자명 : 최병수, 최석환, 류정호, 조현

초록

고밀도 플라즈마 식각 및 lift-off 두 가지 공정으로 honeycomb 형상의 Ag-grid 투명전극층을 제작하였고 제조공법에 따른 광학적 및 전기적 특성을 비교하였다. 플라즈마 식각 조건 선정을 위하여 Ag 박막의 10CF4/5Ar 유도결합 플라즈마 식각특성을 조사하였다. 비교적 낮은 ICP source power 또는 rf chuck power 영역에서는 power 증가에 따라 Ag 식각속도가 증가하였고, 높은 power 조건에서는 Ar + 이온 에너지 감소 또는 Ar + 이온에 의한 F radical 제거로 인해 식각속도가 감소하였다. 10CF4/5Ar 플라즈마 식각 공정에 의해 제작된 Ag-grid 전극층은 lift-off 공정으로 제작된 전극층에 비해grid 패턴 형상의 왜곡이나 단절이 없는 더 우수한 grid 패턴 전사 효율과 가시광선 영역에서 더 높은 83.3 %(pixel 크기30 μm/선폭 5 μm)와 71 %(pixel 크기 26 μm/선폭 8 μm)의 광투과율을 각각 나타내었다. 반면에 lift-off 공정으로 제작된 Aggrid 전극층은 플라즈마 식각 공정 시편보다 더 우수한 2.163 Ω/□(pixel 크기 26 μm/선폭 8 μm)과 4.932 Ω/□(pixel 크기30 μm/선폭 5 μm)의 면저항 특성을 나타내었다.

영어초록

Honeycomb-shaped Ag-grid transparent conductive electrodes (TCEs) were fabricated using two different processes, high density plasma etching and lift-off, and the optical and electrical properties were compared according to the fabrication method. For the fabrication of the Ag-grid TCEs by plasma etching, etch characteristics of the Ag thin film in 10CF4/5Ar inductively coupled plasma (ICP) discharges were studied. The Ag etch rate increased as the power increased at relatively low ICP source power or rf chuck power conditions, and then decreased at higher powers due to either decrease in Ar + ion energy or Ar + ion-assisted removal of the reactive F radicals. The Ag-grid TCEs fabricated by the 10CF4/5Ar ICP etching process showed better grid pattern transfer efficiency without any distortion or breakage in the grid pattern and higher optical transmittance values of average 83.3 % (pixel size 30 μm/line width 5 μm) and 71 % (pixel size 26 μm/line width 8 μm) in the visible range of spectrum, respectively. On the other hand, the Ag-grid TCEs fabricated by the lift-off process showed lower sheet resistance values of 2.163 Ω/□ (pixel size 26 μm/line width 8 μm) and 4.932 Ω/□ (pixel size 30 μm/line width 5 μm), respectively.

참고자료

· 없음