수광층의 카바이드 함량 변화에 따른 실리콘 이종접합 태양전지 특성 변화 (Enhancing Solar Cell Properties of Heterojunction Solar Cell in Amorphous Silicon Carbide)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 29권 / 6호 / 376 ~ 379페이지
· 저자명 : 이준신, 김현성, 김상호, 이영석, 정준희, 김용준, 다오빈 아이

초록

이 논문은 이종접합태양의 p-type a-SiC:H 막의 카바이드 함량의 변화에 따른 소자의 광학적, 전기적인 특성을 분석한 것이다. p-type a-SiC:H막의 카바이드 함량이 증가함에 따라 밴드갭이 증가하게 되고, 광 흡수도가 감소하여 단락전류가 증가하게 된다. 또한 Built in potential이 증가하여 개방전압이 증가한다. 일정 밴드갭 이상에서는 밴드오프셋 및 전기전도도 감소에 의해 개방 전압이 감소하고 곡선인자의 하락이 야기된다. p-type a-SiC:H 막 최적화에 따른 단락전류 1 mA/cm2 상승 및 개방전압 30 mV 증가로 인하여 단락전류 36.35 mA/cm2 개방전압 710 mV을 달성하였다.

영어초록

In this paper, the efficiency improvement of the heterojunction with intrinsic thin layer (HIT) solar cells is obtained by optimization process of p-type a-SiC:H as emitter. The optoelectronic of p-type a-SiC:H layers including the optical band-gap and conductivity under the methane gas content variation is conducted in detail. A significant increase in the Jsc by 1 mA/cm2 and Voc by 30 mV are attributed to enhanced photon-absorption due to broader band-gap of p-a-SiC:H and reduced band-offsets at p-side interface, respectively of HIT solar cells.

참고자료

· 없음