탄소 기판을 이용한 박막 실리콘 태양전지의 배리어 층 효과 (The Effect of Barrier Layer on Thin-film Silicon Solar Cell Using Graphite Substrates)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 29권 / 8호 / 505 ~ 509페이지
· 저자명 : 장효식, 조영준, 이동원, 조준식

초록

본 연구에서 우리는 barrier layer 삽입에 의한 비정질 실리콘 박막 태양 전지의 특성을 연구하였다. 그라파이트 기판을 이용한 비정질 실리콘 박막 태양전지의 효율은 그라파이트 기판의 표면 거칠기에 의해 거의 0이 나타났다. 따라서, 태양전지의 성능을 향상시키기 위해 barrier layer를 바꿔서 태양전지 후면의 표면 거칠기를 개선하였다. Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)를 이용하여 barrier layer를 삽입한 경우 그라파이트 기판의 표면 거칠기가 ~2 um에서 ~75 nm로 감소하였다. 본 연구에서, 그라파이트 기판에 barrier layer 조합이 태양전지 효율향상에 중요한 요소임을 알 수 있었다. 그리고, 그라파이트 기판위에 SiNx/SiOx 적층한 비정질 실리콘 박막 태양전지에서 ~7.8%의 효율을 달성하였다.

영어초록

We have investigated the characteristics of amorphous silicon (a-Si) thin-film solar cell by inserting barrierlayer. The conversion efficiency of a-Si thin-film solar cells on graphite substrate shows nearly zero because of thesurface roughness of the graphite substrate. To enhance the performance of solar cells, the surface morphology ofthe back side were modified by changing the barrier layer on graphite. The surface roughness of graphite substratewith the barrier layer grown by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) reduced from ~2 um to ~75nm. In this study, the combination of the barrier layer on graphite substrate is important to increase solar cellefficiency. We achieved ~ 7.8% cell efficiency for an a-Si thin-film solar cell on graphite substrate with SiNx/SiOxstack barrier layer.

참고자료

· 없음