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실리카 충진된 실리콘 고무의 유전 특성에 관한 연구 (A Study on the Dielectric Properties of Silicone Rubber Filled with Silica)

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최초등록일 2025.07.03 최종저작일 2013.11
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실리카 충진된 실리콘 고무의 유전 특성에 관한 연구
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    서지정보

    · 발행기관 : 한국전기전자재료학회
    · 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 26권 / 11호 / 810 ~ 815페이지
    · 저자명 : 이성일

    초록

    이 연구에서는, 실리콘 고무에 30∼50 phr의 충전제를 배합하여 100 Hz∼100 kHz, 30∼170℃의 범위에서 정전용량 및 유전정접을 측정하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. 주파수가 0.1 kHz∼100 kHz일 때 충전제가 30 phr에서 50 phr로 배합했을 때 정전용량은 30 phr에서 약 28.6~33 pF, 40 phr에서 약 20~46.1 pF, 50 phr에서 약 36.4~44 pF로 증가함을 확인했다. 2. 충진제의 첨가로 Si-O기나 산화로 인한 카보닐기 등으로 쌍극자가 생성되어, 이들이 전계 내에서 회전하여 손실로 나타나 온도의 상승으로 유전손실의 진폭은 점점 커지는 것으로 생각된다. 3. 0.1 kHz에서 나타난 유전분산은 주쇄의 Siloxane기의 분자운동에, 10 kHz에서 나타난 유전분산은 측쇄의 Methyl기의 분자운동에 기인한 것으로 생각된다.

    영어초록

    In this study, the capacitance and dielectric loss tangent of the silicone rubber which is combined with filler (30 phr∼50 phr) have been measured on the range of 100 Hz∼100 kHz and 30∼170℃. It was found that when the frequency is 0.1 kHz∼100 kHz and the silicone rubber is combined with 30 phr to 50 phr of filler, the capacitance of silicone rubber has increased by about 28.6 pF to 33 pF in 30 phr of filler, about 20 pF to 46.1 pF in 40 phr of filler and about 36.4 pF to 44 pF in 50 phr of filler. It seems that the volume of dielectric loss has gradually increased due to the temperature rise and the rotating of dipole in electric field through the electric dipole generated by the Si-O group which is induced by adding of filler, or the carbonyl group which is caused by oxidation. It seems that the dielectric dispersion in 0.1 kHz is caused by molecular motion of Siloxane group in main chain, and the dielectric dispersion in 10 kHz is caused by molecular motion of Methyl group in side chain.

    참고자료

    · 없음
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