탄화규소 단결정의 폴리타입 안정화를 위한 종자정 표면특성 연구 (Seed Crystal Surface Properties for Polytype Stability of SiC Crystals Growth)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 26권 / 12호 / 863 ~ 866페이지
· 저자명 : 이상일, 박미선, 이도형, 이희태, 배병중, 서원선, 이원재

초록

서로 다른 표면 특성을 가진 6H-SiC 듀얼 시드 크리스탈에 SiC 단결정 잉곳들이 PVT법에 의해 성장되었다. 성장된 잉곳들은 시드 크리스탈의 표면특성이 폴리타입 형성에 미치는 영향을 알아내기위해 웨이퍼로 절단하였다. 높은 root-mean-square (rms)값을 가지는 시드크리스탈에서는 4H와 15R의 폴리타입이 성장되었고, 낮은 rms값을 가지는 시드 크리스탈에서는 6H-SiC가 성장되었다. 그러나 on-axis와 off-axis 시드크리스탈을 사용하여 성장된 결정에서는 6H-SiC가 성장되었다. on-axis의 시드 크리스탈에서 성장된 6H-SiC의 결정질이 off-axis 시드크리스탈에서 성장된 결정의 결정질보다 조금 좋았다.

영어초록

SiC crystal ingots were grown on 6H-SiC dual-seed crystals with different surface roughness and different seed orientation by a PVT (Physical Vapor Transport) method. 4H and 15R-SiC were grown on seed crystal with high root-mean-square (rms) value. The polytype of grown crystal on the seed crystal with lower rms value was confirmed to be 6H-SiC. On the other hand, all SiC crystals grown on seed crystals with different seed orientation were proven to be 6H-SiC. The surface roughness of seed crystals had no effect on the crystal structure of the grown crystals. However, the crystal quality of 6H-SiC single crystals grown on the on-axis seed were revealed to be slightly better than that of 6H-SiC crystal grown on the off-axis seed.

참고자료

· 없음