N형 실리콘 제어 정류기 소자의 구조 변형을 통한 정전기 보호성능의 향상에 대한 연구 (Improvement of Electrostatic Discharge (ESD) Protection Performance through Structure Modification of N-Type Silicon Controlled Rectifier Device)

서지정보

· 발행기관 : 사단법인 한국위성정보통신학회
· 수록지 정보 : 한국위성정보통신학회논문지 / 8권 / 4호 / 124 ~ 129페이지
· 저자명 : 양준원, 서용진

초록

PPS 구조가 삽입된 N형 실리콘 제어 정류기 소자를 마이크로 칩의 고전압 I/O 응용을 위해 연구하였다. 종래의 NSCR_PPS_Std표준소자는 매우 낮은 스냅백 홀딩 전압을 갖는 전형적인 SCR 특성을 가지고 있어 정상적인 동작 동안 래치업 문제가 나타나는것으로 보고되고 있다. 그러나 본 연구에서 제안하는 CPS 및 부분적으로 형성된 P-Well(PPW) 구조를 갖는 변형된NSCR_PPS_CPS_PPW 소자는 높은 래치업 면역과 트리거링 전압의 조절이 용이한 안정한 ESD 보호 성능을 나타내어 고전압 동작용 마이크로 칩의 정전기보호 소자로 적용 가능함을 확인하였다.

영어초록

An electrostatic discharge (ESD) protection device, so called, N-type SCR with P-type MOSFET pass structure (NSCR_PPS),was analyzed for high voltage I/O applications. A conventional NSCR_PPS device shows typical SCR-like characteristicswith extremely low snapback holding voltage, which may cause latch-up problem during normal operation. However, amodified NSCR_PPS device with counter pocket source(CPS) and partial p-type well(PPW) structure demonstrates highlylatch-up immune current-voltage characteristics.

참고자료

· 없음