SOD방법을 이용한 저가 EFG 리본 실리콘 태양전지의 효율 향상에 관한 연구 (Improving Efficiency of Low Cost EFG Ribbon Silicon Solar Cells by Using a SOD Method)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 24권 / 3호 / 240 ~ 244페이지
· 저자명 : 김병국, 임동건, 임종엽, 저호, 오병진, 박재환, 이진석, 장보윤, 안영수

초록

SOD(Spin on Doping) 확산 공정은 낮은 가격과 높은 효율을 위한 태양전지의 대량생산에서 잠재적으로 상당한 주목을 받고 있다. 이 논문에서는 리본 실리콘 태양전지의 공정 변수와 전기적인 특성을 연구하였다. 먼저 리본 실리콘 웨이퍼의 화학적, 전기적인 특성을 분석하였다. 인(P509)를 n-type 도핑 물질로 사용하였다. N2₂+ O₂ 분위기에서 확산 온도가 850℃, 확산 시간이 10분일 때 54 ohm/□의 면 저항 값을 얻었다. SiNx 박막은 RF power가 200 W, 공정 압력이 230 mtorr, 기판온도 300℃ 일 때 굴절률 값이 1.95였다. 최적화된 셀 공정을 저가 EFG 리본 실리콘 웨이퍼에 적용하고 14.1%의 효율을 얻었다.

영어초록

The high cost of crystalline silicon solar cells has been considered as one of the major obstacles to their terrestrial applications. Spin on doping (SOD) is presented as a useful process for the manufacturing of low cost solar cells. Phosphorus (P509) was used as an n-type emitters of solar cells.
N-type emitters were formed on p-type EFG ribbon Si wafers by using a SOD at different spin speed (1,000∼4,000 rpm), diffusion temperatures (800℃∼950℃), and diffusion time (5∼30 min) in N2₂+ O₂atmosphere. With optimum condition, we were able to achieve cell efficiency of 14.1%.

참고자료

· 없음