레이다용 X-대역 GaN Front-End MMIC (X-Band GaN Front-End MMIC for Radar Applications)

서지정보

· 발행기관 : 한국전자파학회
· 수록지 정보 : 한국전자파학회 논문지 / 36권 / 4호 / 424 ~ 427페이지
· 저자명 : 노윤섭, 임종원

초록

본논문에서는0.15 ㎛GaN(gallium nitride) HEMT(high electron mobility transistor) 공정을 이용하여 전력증폭기, 저잡음증폭기및스위치가하나의칩에집적된X-대역front-end MMIC(monolithic microwave integrated circuit)를 설계 및 제작하였다. 칩 크기4.5×2 mm2로 제작된 front-end MMIC는 주파수 8.5～10.5 GHz 대역에서 수신 이득 21 dB, 수신 잡음지수2.1～2.4 dB의 수신부 특성과, 송신 이득 26 dB, 송신 출력 41 dBm 및 송신 효율 42 %의 송신부 측정 결과를 보였다.
제작된front-end MMIC는 항공기의 AESA(active electronically scanned array) 레이다나 초소형 SAR(synthetic aperture radar) 위성 등에적용이가능하다.

영어초록

In this study, we designed and manufactured an X-band front-end MMIC with a power amplifier, low-noise amplifier, and switch integrated into one chip using a 0.15 ㎛ GaN HEMT process. The front-end MMIC (chip size: 4.5×2 mm2) showed receiver characteristics with a gain of 21 dB and a noise figure of 2.1～2.4 dB noise figure, along with transmitter characteristics a gain of 26 dB, an output power of 41 dBm, and a power added efficiency (PAE) of 42 % in the frequency range of 8.5～10.5 GHz. This front-end MMIC can be applied to AESA radars or ultra-small SAR satellites.

참고자료

· 없음