ZnO:Al 투명도전막의 열처리에 따른전기적 및 광학적 특성 (Electrical and optical properties of ZnO:Al transparent conductive films with thermal treatments)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자학회
· 수록지 정보 : 전기전자학회논문지 / 24권 / 2호 / 435 ~ 440페이지
· 저자명 : 마대영, 박기철

초록

고주파 마그네트론 스퍼터링으로～500 nm 두께의 ZnO:Al막을 증착하였다. 증착된 ZnO:Al막을 100 ℃, 200 ℃, 300 ℃ 및400 ℃에서 10시간 동안 열처리하였다. ZnO:Al막의 열처리에 따른 저항률, 캐리어 농도 및 이동도 변화를 측정하였다. XRD,FESEM 결과를 통해 열처리에 따른 ZnO:Al막의 저항률 변화 원인을 조사하였다. ZnO:Al막의 광 투과율을 측정한 후 에너지밴드 갭, Urbach 에너지 및 굴절률을 도출하였다. ZnO:Al막의 전기적 특성 변화를 광특성과 연관지어 설명하였다.

영어초록

ZnO:Al films with about 500 nm thick were prepared by RF magnetron sputtering. The ZnO:Al films were annealedat 100 ℃, 200 ℃, 300 ℃, and 400 ℃ for 10 h, respectively. The resistivity, carrier concentration, and mobility variationof ZnO:Al films with heat treatments were measured. The causes of the resistivity variation of ZnO:Al films with heattreatments were investigated by utilizing the results of x-ray diffraction and field emission scanning electron microscope.
The energy band gap, Urbach energy, and refractive index were obtained from the transmittance of ZnO:Al films.
The change in electrical properties of the ZnO:Al film was explained in relation to the optical properties.

참고자료

· 없음