용액 공정으로 형성된 n-ZTO/p-SiC 이종접합 열처리 효과 (Effects of Annealing on Solution Processed n-ZTO/p-SiC Heterojunction)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 28권 / 8호 / 481 ~ 485페이지
· 저자명 : 정영석, 구상모

초록

본 연구에서는 용액 공정으로 형성된 n-ZTO/p-SiC 이종접합 열처리 효과 및 온도특성을 특성을 분석하였다. ZTO 박막은 p-type SiC 위에 용액 공정으로 증착하였다. 그 결과 500°C에서 열처리 후 소자에서 Ion/Ioff가 ~5.13×107에서 ~1.11×109 증가하였다. 이는 ZTO 박막의 농도가 증가하였으며, 전압-캐패시턴스 그래프를 통해 확인할 수 있다. 게다가, ZTO/SiC 이종접합 다이오를 300 K에서 500 K로 증가시키며 I-V 측정을 하였다. 온도가 300 K에서 500 K로 증가할 때, 역방향 전류의 변화는 열처리 전 소자보다 열처리 후 소자에서 더 높았다. 이는 ZTO/SiC 사이의 전위 장벽 차이와 관련된 것으로 확인할 수 있다. 본 연구 결과를 통해 용액 공정된 ZTO/SiC 이종접합 다이오드에서 열처리 전, 후에 따라 박막의 전기적 특성을 제어할 수 있음을 확인할 수 있다.

영어초록

We investigated the effects of annealing on the electrical and thermal properties of ZTO/4H-SiC heterojunction diodes. A ZTO thin film layer was grown on p-type 4H-SiC substrate by using solution process.
The ZTO/SiC heterojunction structures annealed at 500℃ show that Ion/Ioff increases from ~5.13×107 to ~1.11×109 owing to the increased electron concentration of ZTO layer as confirmed by capacitance-voltage characteristics. In addition, the electrical characterization of ZTO/SiC heterojunction has been carried out in the temperature range of 300∼500 K. When the measurement temperature increased from 300 K to 500 K, the reverse current variation of annealed device is higher than as-grown device, which is related to barrier height in the ZTO/SiC interface. It is shown that annealing process is possible to control the electrical characteristics of ZTO/SiC heterojunction diode.

참고자료

· 없음