광검출기 응용을 위하여 스퍼터된 미세결정 SiGe 박막성장 연구 (The Study of Sputtered SiGe Thin Film Growth for Photo-detector Application)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 25권 / 6호 / 439 ~ 444페이지
· 저자명 : 김도영, 김선조, 김형준, 한상윤, 송준호

초록

본 연구에서는 광검출기의 활성층으로 사용하기 위한 SiGe을 Si target과 Ge target을 독립형 스퍼터링 방법으로 성장시키는 연구를 진행하였다. 각각의 target은 5N의 고순도 target을 사용하였으며 dc와 rf power를 플라즈마원으로 사용하였다. Ge target을 dc power로 스퍼터링하고 Si target을 rf power로 스퍼터링하는 경우 결정성이 우수한 Ge 박막이 성장됨을 raman 분광법과 X-ray 회절법으로 확인할 수 있었으나 SiGe 박막은 관찰되지 않았다. 그러나 SiGe 박막을 성장시키기 위하여 반대로 Ge target을 rf power로 스퍼터링하고 Si target을 dc power로 스퍼터링하는 경우 dc power를 증가시킴에 따라서 SiGe 박막이 형성됨을 raman 분광법으로 확인할 수 있었으며 dc power 75 W에서 (111)과 (220) 면을 가지는 미세결정질 SiGe 박막의 성장을 확인할 수 있었다.

영어초록

For the application of photo-detector as active layer, we have studied how to deposit SiGe thin film using an independent Si target and Ge target, respectively. Both targets were synthesized by purity of 99.999%. Plasma generators were generated by radio frequency (rf, 13.56 MHz) and direct current (dc)power. When Ge and Si targets were sputtered by dc and rf power, respectively, we could observe the growth of highly crystalline Ge thin film at the temperature of 400℃ from the result of raman spectroscopy and X-ray diffraction method. However, SiGe thin film did not deposit above method.
Inversely, we changed target position like that Ge and Si targets were sputtered by rf and dc power,respectively. Although Ge crystalline growth without Si target sputtering deteriorated considerably, the growth of SiGe thin film was observed with increase of Si dc power. SiGe thin film was evaluated as microcrystalline phase which included (111) and (220) plane by X-ray diffraction method.

참고자료

· 없음