TLC 낸드 플래시기반 저장 장치에서 페이지 중복쓰기 기법을 이용한 SLC 버퍼 성능향상 연구 (SLC Buffer Performance Improvement using Page Overwriting Method in TLC NAND Flash-based Storage Devices)

서지정보

· 발행기관 : 대한전자공학회
· 수록지 정보 : 전자공학회논문지 / 53권 / 1호 / 36 ~ 42페이지
· 저자명 : 원삼규, 정의영

초록

다중 셀 기반의 저장장치 특히, TLC 낸드 플래시는 낮은 가격을 무기로 SSD에 채용되고 있다. 그러나 TLC는 기존의 MLC대비 느린 성능과 내구성으로 인해 일부 블록(Block)을 SLC 영역으로 할당하여, 버퍼로 사용함으로써 성능을 개선하는 구조를 발전시켜 왔다. 본 논문에서는 SLC 버퍼 성능을 보다 향상시키기 위하여 SLC 블록에 대해 페이지 덮어쓰기 기능을 도입하였다. 이를 통해, 제한된 회수 이내에서 지움 동작 없이 데이터 갱신을 가능하도록 했다. 특히, 기존의 SLC 버퍼 영역이 채워지는 경우 유효 페이지를 TLC 블록으로 이동 복사하고, 해당 블록을 지워야 하는데, 제안된 방법을 통해 유효 페이지 복사 및 지움 동작을 50% 이상 줄일 수 있었다. 시뮬레이션 평가 결과 기존의 SLC 버퍼 대비 버퍼 덮어 쓰기를 통해 2배의 쓰기 성능 개선을 달성 하였다.

영어초록

In multi-level-cell based storage devices, TLC NAND has been employed solid state drive due to cost effectiveness. Since TLC has slow performance and low endurance compared with MLC, TLC based storage has adopted SLC buffer scheme to improve performance. To improve SLC buffer scheme, this paper proposes page overwriting method in SLC block. This method provides data updates without erase operation within a limited number. When SLC buffer area is filled up, FTL should execute copying valid pages and erasing it. The proposed method reduces erase counts by 50% or more compared with previous SLC buffer scheme. Simulation results show that the proposed SLC buffer overwrite method achieves 2 times write performance improvement.

참고자료

· 없음