적층 PTC 써미스터의 전기적 특성에 대한 재산화의 영향 (Effect of Re-oxidation on the Electrical Properties of Mutilayered PTC Thermistors)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 26권 / 2호 / 98 ~ 103페이지
· 저자명 : 전명표

초록

본 연구는 Ni 전극이 인쇄된 알루미나 기판 및 조성이 (Ba0.998Ce0.002)TiO3 + 0.001MnCO3 + 0.05BN인 적층 PTC 써미스터를 후막 공정으로 제조하고, 이들의 비저항 및 저항 점프 특성에 대한 재산화 온도의 영향을 조사하였다. 각각의 샘플은 먼저 1,150℃의 PO2= 10∼11의 환원분위기에서 환원소성한 후에 600-850℃ 사이에서 재산화하였다. 재산화 온도가 증가함에 따라 상온 비저항은 증가하였고, 저항 점프 특성(LogR290/R25)은 감소하였으며 이는 Ni전극의 산화와 관련이 있는 것 같다. 2,012와 3,216 크기의 작은 칩 PTC는 비선형의 정류 I-V 특성 거동을 보이는 반면에 4,532와 6,532 크기의 큰 칩 PTC는 선형의 ohmic I-V 특성을 보인다. 또한, 2,012와 3,216칩은 재산화 온도에 민감하며, 4,532와 6,532칩에 보다 쉽게 산화되는 경향을 보인다. 따라서, 칩 PTC 써미스터의 재산화 조건은 칩 크기를 고려해서 결정되어야 할 것이다.

영어초록

The alumina substrates that Ni electrode was printed on and the multi-layered PTCR thermistors of which composition is (Ba0.998Ce0.002)TiO3 + 0.001MnCO3 + 0.05BN were fabricated by a thick film process, and the effect of re-oxidation temperature on their resistivities and resistance jumps were investigated, respectively. Ni electroded alumina substrate and the multi-layered PTC thermistor were sintered at 1,150℃ for 2 h under PO2= 10-6 Pa and then re-oxidized at 600∼850℃ for 20 min. With increasing the re-oxidation temperature, the room temperature resistivity increased and the resistance jump (LogR290/R25) decreased, which seems to be related to the oxidation of Ni electrode. The small sized chip PTC thermistor such as 2012 and 3216 exhibits a nonlinear and rectifying behavior in I-V curve but the large sized chip PTC thermistor such as 4532 and 6532 shows a linear and ohmic behavior. Also, the small sized chip PTC thermistor such as 2012 and 3216 is more dependent on the re-oxidation temperature and easy to be oxidized in comparison with the large sized chip PTC thermistor such as 4532 and 6532. So, the re-oxidation conditions of chip PTC thermistor may be determined by considering the chip size.

참고자료

· 없음