16레벨셀 낸드 플래시 메모리에서 트렐리스 정답 추정 기법을 이용한 최대 유사도 검출기의 성능 (Performance of the Maximum-Likelihood Detector by Estimation of the Trellis Targets on the Sixteen-Level Cell NAND Flash Memory)

서지정보

· 발행기관 : 대한전자공학회
· 수록지 정보 : 전자공학회논문지 - TC / 47권 / 7호 / 1 ~ 7페이지
· 저자명 : 박동혁, 이재진

초록

본 논문에서는 16레벨셀 낸드 플래시 메모리 채널에 최대 유사도 검출 방법을 이용하여 데이터를 검출하기 위해 트렐리스의 정답 값을 추정하는 기법에 대해 연구 하였다. 이 기법은 최대유사도 검출기를 사용할 수 있게 되어 성능향상에 도움을 준다. 플래시 메모리는 커플링 효과 때문에 메모리가 있는 채널 모델링이므로, 이미 알고 있는 데이터 열을 훈련 과정을 통해 트렐리스의 정답 값을 추정하여, 이 값을 토대로 최대 유사도 검출한다. 본 실험을 통해 문턱 전압을 이용한 데이터 검출 방법보다 제안한 기법을 이용한 최대 유사도 검출기의 성능이 좋은 것을 보였다.

영어초록

In this paper, we use the maximum-likelihood detection by the estimation of trellis targets on the 16-level cell NAND flash memory. This mechanism has a performance gain by using a maximum-likelihood detector. The NAND flash memory channel is a memory channel because of the coupling effect. Thus, we use the known data arrays to finding the targets of trellis. The maximum-likelihood detection by proposed scheme performs better than the threshold detection on the 16-level cell NAND flash memory channel.

참고자료

· 없음