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게이트 절연막의 O2플라즈마 처리에 의한 펜타센 OTFT의 성능 개선

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최초등록일 2025.05.25 최종저작일 2003.07
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게이트 절연막의 O2플라즈마 처리에 의한 펜타센 OTFT의 성능 개선
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    서지정보

    · 발행기관 : 대한전자공학회
    · 수록지 정보 : 전자공학회논문지 - SD / 40권 / 7호 / 26 ~ 30페이지
    · 저자명 : 李明源, 송정근, 金光賢, 許泳憲

    초록

    펜타센 유기박막트랜지스터(OTFT)에서 게이트 절연막의 표면상태가 소자의 성능에 큰 영향을 미친다. 본 논문에서는 펜타센을 진공 증착하기전 게이트 절연막의 표면에 O2플라즈마 처리를 함으로써 OTFT의 성능에 미치는 영향을 분석하였다. O2플라즈마 처리후 소자의 전계 이동도가 0.05cm2/V·sec로 나타났으며, 이는 처리전 보다 약 10배정도 향상된 것이다. 또한 O2플라즈마 처리는 게이트 절연막의 표면상태를 균일하게 하여 각 성능지수들의 표준편차가 감소하였다. 그리고 전계 이동도는 O2플라즈마에 노출되는 시간에 따라 증가하였는데 5분을 기점으로 다시 감소하였다. 따라서 O2플라즈마 처리시간은 5분이 최적인 것으로 판단된다.

    참고자료

    · 없음
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