멀티 레벨 셀 메모리의 채널 모델링 (Channel Modeling for Multi-Level Cell Memory)

서지정보

· 발행기관 : 한국통신학회
· 수록지 정보 : 한국통신학회논문지C / 34권 / 9호 / 880 ~ 886페이지
· 저자명 : 박동혁, 이재진

초록

플래시 메모리는 최근 많은 전자제품에 이용되면서 많은 연구자들이 연구를 진행하고 있다. 그중, 단위 면적당 저장용량을 증가하기 위한 많은 연구들이 진행되고 있는데, 이를 위하여 메모리의 공정의 크기를 줄이는 연구 뿐 아니라, 최근에는 한 셀에 2비트 이상의 데이터를 저장 할 수 있는 멀티 레벨 셀 메모리의 연구가 진행되고 있다. 하지만, 한 셀에 멀티 비트를 저장하게 되면서 다양한 오류들로 인하여 저장된 데이터를 정확히 읽는 데 어려움이 많다. 본 논문에서는 멀티 레벨 셀 플래시 메모리의 오류 요인을 분석하고 그에 대한 멀티 레벨 셀 플래시 메모리의 채널을 모델링 하였다.

영어초록

Recently, the memory is used in many electronic devices, thus, the many researchers make a study of the memory. To increase a storage capacity per memory block, the researchers study for reducing the fabrication process of memory and multi-level cell memory which is storing more than 2-bits in a cell. However, the multi-level cell memory has low bit-error rates by various noises. In this paper, we study the noise of multi-level cell memory, and we propose the channel model of multi-level cell memory.

참고자료

· 없음