PRAM을 위한 Ge-Se-Te 박막의 상변환 특성 (Phase Change Characteristics of Ge-Se-Te Thin Film for PRAM)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 24권 / 12호 / 982 ~ 987페이지
· 저자명 : 신재호, 이현용, 김병철, 여종빈

초록

본 연구에서는, 나노 펄스 스캐너를 사용하여 Ge_8Se_(2+x)Te_(6-x) 박막의 비정질-결정질 상변화 속도를 평가하였다. 1–17 mW 파워(P) 범위와 10–460 ns 의 펄스폭(t) 범위에서, 10 μm 이하의 직경을 갖는 입사 레이저 빔을 입사하고 그에 대한 박막 표면으로부터의 응답 시그널을 측정하였다. 또한, 증착 직후 그리고 열처리한 박막에 대하여 광학적 흡수 특성과 에너지 갭, 결정구조, 면저항 등의 물성을 분석하였다. 실험 결과 Se 함량의 증가는 열적인 안정성 향상에 기여할 수 있음을 보여주었다.

영어초록

In this study, Ge_8Se_(2+x)Te_(6-x) thin film amorphous-to-crystalline phase-change rate was evaluated in using a nano-pulse scanner. The focused laser beam with a diameter <10 μm was illuminated in the power (P) and pulse duration (t) ranges of 1–31 mW and 10–460 ns, respectively, with subsequent detection of the responsive signals reflected from the film surface. We also evaluated the material characteristics, such as optical absorption and energy gap, crystalline phases, and sheet resistance of as-deposited and annealed films. The result of experiments showed that the thermal stability of the Ge-Se-Te film is largely improved by adding Se.

참고자료

· 없음