원뿔 형태의 patterned sapphire substrate 위에 성장한 α-Ga2O3의 특성분석 (Characterization of alpha-Ga2O3 epilayers grown on cone-shape patterned sapphire substrate by halide vapor phase epitaxy)

서지정보

· 발행기관 : 한국결정성장학회
· 수록지 정보 : 한국결정성장학회지 / 29권 / 4호 / 173 ~ 178페이지
· 저자명 : 손호기, 최예지, 이영진, 김진호, 김선욱, 라용호, 임태영, 황종희, 전대우

초록

본 연구에서는 halide vapor phase epitaxy 성장법을 이용하여 원뿔 형태의 패턴이 주기적으로 형성된 patterned sapphire substrate(PSS) 위에 α-Ga2O3를 성장하고 그 특성에 변화에 대해 분석하였다. PSS의 패턴의 유무에 따른 영향을 알 아보기 위해 c-plane 사파이어 기판과 원뿔의 크기가 다른 두 개의 PSS 위에 α-Ga2O3를 성장하여 비교 분석하였다. 또한PSS 위에 성장된 α-Ga2O3 의 성장과정을 알아보기 위해 점차 성장 시간을 증가해가며 관찰하였고 성장 온도를 470-550 o C까 지 변화해가며 성장하였다. 이를 통해 원뿔 형태의 패턴이 형성된 PSS 위에서의 최적 성장 조건과 그 성장 mechanism에 대해 분석이 가능하였고 그 결과로 성장과정에서 발생하는 수평 성장에 의해 α-Ga2O3의 비대칭면인 (10-14) 반치폭 값을크게 감소시킬 수 있었다.

영어초록

In this study, we demonstrated a characterization of α-Ga2O3 grown on a cone-shape patterned sapphire substrate by using the halide vapor phase epitaxy. An α-Ga2O3 was grown on different size of PSS and c-plane sapphire substrate for comparison to confirm the effect of PSS. In addition, growth time of α-Ga2O3 was gradually increased to confirm growth mechanism of α-Ga2O3 grown on the PSS. A growth temperature was changed to 470-550°C. It can be analyzed growth conditions and mechanisms on the cone-shape PSS, resulting in a significant decrease in the FWHM value of an asymmetric plane (10-14) of α-Ga2O3 , due to lateral growth that occurs during the growth process.

참고자료

· 없음