이온젤 전해질 절연체 기반 고분자 비휘발성 메모리 트랜지스터 (Ion Gel Gate Dielectrics for Polymer Non-volatile Transistor Memories)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 29권 / 12호 / 759 ~ 763페이지
· 저자명 : 조보은, 강문성

초록

본 연구에서는 고분자 반도체 기반의 비휘발성 트랜지스터 메모리 소자의 구동전압을 낮추는 방안의 하나로 이온젤 전해질 절연체의 사용을 제시한다. 전해질에 기반한 고분자 박막 트랜지스터의 구동은 게이트 전압을 통해 제어가 가능한 고분자 박막 내로의 이온 출입 및 이에 기초한 고분자 박막의 도핑/디도핑 현상을 이용한다. 본 연구에서는 이러한 고분자 반도체의 도핑/디도핑 현상을 활용하여 일정 시간 이상 동안 임의의 전류신호를 기억하고 또한 삭제할 수 있는 메모리 소자를 제조하였다. 특히나 소자의 메모리 특성이 고분자 반도체의 두께에 의해 변화함을 확인하였으며, 특히나 i) 저장상태의 신호와 삭제상태의 신호비와 ii) 정보의 저장시간이 두께에 따라 증가함을 확인하였다.

영어초록

We demonstrate the utilization of ion gel gate dielectrics for operating non-volatile transistor memory devices based on polymer semiconductor thin films. The gating process in typical electrolyte-gated polymer transistors occurs upon the penetration and escape of ionic components into the active channel layer, which dopes and dedopes the polymer film, respectively. Therefore, by controlling doping and dedoping processes, electrical current signals through the polymer film can be memorized and erased over a period of time, which constitutes the transistor-type memory devices. It was found that increasing the thickness of polymer films can enhance the memory performance of device including (i) the current signal ratio between its memorized state and erased state and (ii) the retention time of the signal.

참고자료

· 없음