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저전압에서 다결정 실리콘 TFT의 불균일한 특성을 보상한 새로운 AMOLED 구동회로 (A Novel Poly-Si TFT Pixel circuit for AMOLED to Compensate Threshold Voltage Variation of TFT at Low Voltage)

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최초등록일 2025.05.15 최종저작일 2009.08
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저전압에서 다결정 실리콘 TFT의 불균일한 특성을 보상한 새로운 AMOLED 구동회로
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    서지정보

    · 발행기관 : 대한전자공학회
    · 수록지 정보 : 전자공학회논문지 - SD / 46권 / 8호 / 1 ~ 5페이지
    · 저자명 : 김나영, 이문석

    초록

    본 논문에서는 저전압에서 다결정 실리콘(Polycrystalline Silicon: Poly-Si) 박막 트랜지스터(Thin Film Transistors: TFTs) 의 문턱전압(threshold voltage)의 불균일성을 보상한 새로운 AMOLEDs(Active Matrix Organic Light Diodes) 구동회로를 제안한다. 제안한 회로는 6개의 스위칭, 1개의 드라이빙 TFT와 1개의 저장 콘덴서로 구성되어 있으며, SPICE 시뮬레이션을 통해 구동회로의 동작을 검증하였다. 시뮬레이션 결과 5V정도의 낮은 구동 전압(VDD)에서 제안한 화소 구동회로의 OLED 출력 전류는 0.8%정도의 오차를 갖는 반면, 기본적인 구동회로의 경우 약20%정도의 오차를 갖는 것을 확인할 수 있었다. 본 논문에서 제안한 화소 구동회로는 OLED의 전류를 결정하는 driving TFT의 threshold voltage 변화에 따른 전류의 변화를 성공적으로 보상하였고, 안정화된 전류를 OLED를 흘려주어 기본적인 화소 회로가 가지고 있던 불균일화의 문제를 해결함을 알 수 있다.

    영어초록

    A new pixel circuit for Active Matrix Organic Light Emitting Diodes (AMOLEDs), based on the polycrystalline silicon thin film transistors (Poly-Si TFTs), was proposed and verified by SMART SPICE simulation. One driving and six switching TFTs and one storage capacitor were used to improve display image uniformity without any additional control signal line. The proposed pixel circuit compensates an inevitable threshold voltage variation of Poly-Si TFTs and also compensates the degradation of OLED at low power supply voltage(VDD). The simulation results show that the proposed pixel circuit successfully compensates the variation of OLED driving current within 0.8% compared with 20% of the conventional pixel circuit.

    참고자료

    · 없음
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