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불규칙 패턴 에칭에 의한 표면 형상 제어와 광학적 특성 (Optical Property and Surface Morphology Control by Randomly Patterned Etching)

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최초등록일 2025.05.15 최종저작일 2017.12
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불규칙 패턴 에칭에 의한 표면 형상 제어와 광학적 특성
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    서지정보

    · 발행기관 : 한국전기전자재료학회
    · 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 30권 / 12호 / 800 ~ 805페이지
    · 저자명 : 김성수, 이정우, 전법주

    초록

    디스플레이 글라스의 anti glare 표면처리를 위해 습식화학에칭방식을 적용한 불규칙 스크린 패턴에칭과 2차 용액표면에칭을 수행하고 grain size제어와 불규칙패턴에칭에 따른 표면 morphology의 변화인 표면특성과 광학적 특성을 비교하였다. 닥터블레이드와 스크린패턴에칭을 적용한 겔상태의 1차 에칭에 의한 표면조도는 닥터블레이드방식의 경우 표면조도가 낮게 나타났으며 유리기판의 종류를 달리할 경우 기판의 조성에 의해 표면 에칭반응 메커니즘과 생산과정에 기판의 결정도가 변하여 에칭정도는 에칭방법과 유리기판 종류에 의존성이 큼을 알 수 있었다. 1차 불규칙패턴에칭에 의한 표면조도의 변화는 부식액에 의한 패턴형성과 크기에 영향을 주는 mesh size에 크게 의존하였다. 2차 용액에칭은 에칭반응시간과 농도변화에 영향을 받았으나 1차 불규칙 패턴에칭된 조직의 크기에 영향을 주는 mesh size에 의존성이 크게 나타났다. 영상의 선명도에 영향을 주는 표면 광택도는 1차 에칭에서 mesh size가 작을수록, 2차 에칭에서 반응시간이 증가할수록 표면에 형성된 grain size가 감소하여 높게 나타났다.

    영어초록

    Randomly patterned and wet chemical etching processes were used to treat anti-glare of display cover glasses.
    The surface and optical properties of grain size and surface morphology controlled by randomly patterned etching andwet chemical solution etching were investigated. The surface morphology and roughness of the etched samples wereexamined using a spectrophotometer and a portable surface roughness (Ra) measuring instrument, respectively. The glosscaused by reflection from the glass surface was measured at 60° using a gloss meter. The surface of the sample etchedby the doctor-blade process was more uniform than that obtained from a screen pattern etching process at gel stateetching process of the first step. The surface roughness obtained from the randomly patterned etching process dependedgreatly on the mesh size, which in turn affected the grain size and pattern formation. The surface morphology and glossobtained by the etching process in the second step depended primarily on the mesh size of the gel state etching processof the first step. In our experimental range, the gloss increased on decreasing the grain size at a lower mesh size forthe first step process and for longer reaction times for the second step process.

    참고자료

    · 없음
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