산화물 반도체의 다양한 처리를 통한 박막트랜지스터의 전기적 특성 향상 (A Review : Improvement of Electrical Performance in the Oxide Semiconductor Thin Film Transistor Using Various Treatment)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 29권 / 1호 / 1 ~ 5페이지
· 저자명 : 이준신, 김태용, 장경수, Jayapal Raja, Nguyen Thi Cam Phu, 이소진, 강승민, Than Thuy Trinh, 이윤정

초록

오늘날의 디스플레이 시장의 궁극적인 목표들은 투명화 또는 휘어지는 것이 가능하며 다양한 응용이 가능한 아주 진보적인 주제를 많은 연구원들이 진행하고 있다. 핵심 요소는 광 대역 밴드갭을 지닌 반도체 물질 기존 실리콘 물질과 비교하여 공정단계의 감소 및 우수한 전기적 특성을 얻을 수 있으면서 폭넓게 적용 및 응용이 가능한 산화물 반도체가 지난 몇 년간 특별한 관심을 얻고 패널 디스플레이에서 차세대를 선도하기 위한 유망한 기술 중 하나로서 오늘날 설립되었다. 본 논문에서는 기존과 같은 혹은 유사하거나 조금 다른 여러 방법의 공정들을 통해 디스플레이의 핵심 소자로 작용하고 있는 산화물 물질을 이용한 박막트랜지스터의 전기적 특성의 향상이 어떤 원리로 상승이 가능한지 어떤 처리방법들이 있는지와 그에 따른 전기적 특성 변화에 대해서 이야기하고자 한다. 산화물 반도체 물질 종류도 수많은 화합물이 존재하지만 본 논문에서는 이미 산업화 진행 혹은 연구가 활발히 진행되고 있는 InGaZnO, ZnO, InSnZnO를 중점으로 보고하고자 한다.

영어초록

The ultimate aims of display market is transparent or flexible. Researches have been carried out for various applications. It has been possible to reduced the process steps and get good electrical properties for semiconductors with large optical bandgaps. Oxide semiconductors have been established as one of the leading and promising technology for next generation display panels. In this paper, alternative treatment processes have been tried for oxide semiconductors of thin film transistors to increase the electrical properties of the thin film transistors and to investigate the mechanisms. There exist a various oxide semiconductors. Here, we focused on InGaZnO, ZnO and InSnZnO which are commercialized or researched actively.

참고자료

· 없음