전자빔 기술을 이용한 반도체 공정의 삼불화질소(NF3) 분해 (Destruction of NF3 Emitted from Semiconductor Process by Electron Beam Technology)

서지정보

· 발행기관 : 대한환경공학회
· 수록지 정보 : 대한환경공학회지 / 34권 / 6호 / 391 ~ 396페이지
· 저자명 : 류재용, 최창용, 김종범, 이상준, 김승곤, 곽희성, 윤영민

초록

전자빔을 이용하여 반도체 공정에서 배출되는 NF3 가스 분해 연구를 수행하였다. 본 연구에서 흡수선량은 0에서 400kGy 범위였고, 전류강도는 0~20 mA범위였다. 또한, 처리 대상 가스의 농도 범위는 500~2,000 ppm이었다. 그리고 조사시간의영향을 알기 위해서, 조사시간을 각각 5초, 10초, 15초, 20초 등으로 달리 하면서 실험을 수행하였다. 흡수선량 및 전류 강도가증가할수록 가스의 분해효율은 증가하였다. 하지만 처리 대상가스의 농도가 증가할 때는 분해효율이 감소함을 알 수 있었다.
흡수선량이 약 400 kGy일 때 처리가스의 분해효율은 약 90% 정도를 나타내었다.

영어초록

The destruction study of NF3 gas emitted from the semiconductor industry is performed with electron-beam technology.
Absorbed dose (kGy) and current ranged from 0 (0) to 400 kGy (20 mA). The concentration of NF3 gas ranged from 500 to 2,000ppm. In order to assess the effect of a residence time on DRE (Destruction and Removal Efficiency, %), experiments also conducted at different irridiation times of 5 sec, 10 sec, 15 sec and 20 sec respectively. As absorbed dose and current increased, DRE of NF3 was also increased. However, DRE (%) of NF3 decreased with increasing the concentration of NF3 gas. The DRE of NF3 was about 90%at an absorbed dose of 400 kGy.

참고자료

· 없음