고이동도 산화물 반도체 박막 트랜지스터 구현을 위한 구동전류 향상 (A Review : Improvement of Operation Current for Realization of High Mobility Oxide Semiconductor Thin-film Transistors)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 28권 / 6호 / 351 ~ 359페이지
· 저자명 : 장경수, 이윤정, 이준신, Jayapal Raja, 김태용, 강승민, 이소진, Nguyen Thi Cam Phu, Than Thuy Trinh

초록

차세대 디스플레이는 투명하면서 유연한 디스플레이의 실현 뿐 만 아니라, 고해상도 및 높은 프레임 수 구현이 필수적이다. 능동형유기발광다이오드 및 차세대 디스플레이에 요구되는 핵심 요소로서 고이동도와 대면적 균일도를 가지는 박막트랜지스터(TFT) 소자 개발이 필수적이다. 현재까지의 투명디스플레이에 응용되는 TFT는 산화물 반도체를 채널층으로 하는 산화물 TFT가 주를 이루며, 그 중에서도 산화아연계 물질인 인듐-갈륨-아연-산화물이 디스플레이 업계의 주목을 받고 있다. 이번 논문에서는 그 동안 평판디스플레이에 널리 이용되었던 낮은 이동도의 한계를 가지는 비정질 실리콘 TFT 및 복잡한 공정 및 도핑공정 등 고비용의 장비를 필요로 하는 폴리실리콘 TFT의 단점을 극복하고, 차세대 고속 구동 디스플레이에 응용되는 저비용 산화물 TFT의 이동도 향상에 대한 그 동안의 연구 결과에 대해 정리하면서 앞으로의 연구 방향을 제시하고자 한다.

영어초록

Next-generation displays should be transparent and flexible as well as having high resolution and frame number. The main factor for active matrix organic light emitting diode and next-generation displays is the development of TFTs (thin-film transistors) with high mobility and large area uniformity. The TFTs used for transparent displays are mainly oxide TFT that has oxide semiconductor as channel layer. Zinc-oxide based substances such as indium-gallium-zinc-oxide has attracted attention in the display industry. In this paper, the mobility improvement of low cost oxide TFT is studied for fast operating next-generation displays by overcoming disadvantages of amorphous silicon TFT that has low mobility and poly silicon TFT that requires expensive equipment for complex process and doping process.

참고자료

· 없음