Plasma 공정에 의한 고출력 E-mode GaN 전력반도체 특성 연구 (Investigation of the Characteristics of High-Power E-mode GaN Power Semiconductor by Plasma Process)

서지정보

· 발행기관 : 대한전자공학회
· 수록지 정보 : 전자공학회논문지 / 58권 / 3호 / 43 ~ 50페이지
· 저자명 : 최환히찬, 안결, 장태훈, 심규환

초록

본 논문은 플라즈마 공정에 따른 고출력 E-mode GaN 전력반도체의 특성 변화를 설명한다. AlGaN/GaN epi 구조를 변화시키지 않는 한 E-mode GaN 소자의 출력 성능을 향상하는 방법은 ohmic 접촉면의 저항을 최소화하는 것이다. 일반적으로 ohmic metal과 열처리 공정을 통해 저항을 낮추는 방법을 사용하는데, E-mode GaN 전력반도체 공정시 p-GaN을 선택적으로 식각하는 과정에서 플라즈마 공정에 의해 AlGaN위에 형성된 손상된 층 (damage layer)은 저항을 증가시킨다. 남아있는 p-GaN층 또한 열처리 후 저항을 증가시킬 수 있다. 본 논문에서는 식각시 사용되는 ICP (Inductively Coupled Plasma)의 power를 줄여 p-GaN을 식각할 때 E-mode GaN 전력반도체 특성이 개선되는 것을 확인하고 식각 후 남은 p-GaN층이 소자에 어떤 영향을 미치는지 확인하였다.

영어초록

This paper explains the characteristics of high-power E-mode GaN power semiconductor according to plasma process. When the AlGaN/GaN epi. structure is fixed, the only way to improve the output performance of the E-mode GaN device is to minimize the resistance of ohmic contact. There is a method of lowering resistance through ohmic metal and thermal process, but a damage layer between ohmic metal and AlGaN epi. layer formed by plasma process in the process of selectively etching p-GaN increases resistance. In addition, remaining p-GaN layer may increase the resistance after thermal process. In this paper, it was confirmed that the characteristics of the E-mode GaN power semiconductor are improved when the p-GaN layer is etched by reducing the ICP power and by changing the remaining p-GaN layer after etching.

참고자료

· 없음