초박형 태양전지의 Porous Si Layer Transfer 기술 적용을 위한 전기화학적 실리콘 에칭 (Electrochemical Etching of Silicon in Porous Silicon Layer Transfer Process for Thin Film Solar Cell Fabrication)

서지정보

· 발행기관 : 한국마이크로전자및패키징학회
· 수록지 정보 : 마이크로전자 및 패키징학회지 / 16권 / 4호 / 54 ~ 60페이지
· 저자명 : 이주영, 한원근, 이재호

초록

불산과 에탄올 혼합용액에서 전기화학적 에칭을 통하여 다공성 실리콘 층을 제작하였다. 에칭 시 인가된 초
음파의 주파수, 전류밀도, 에칭시간의 변화에 따른 다공성 실리콘 층의 변화를 확인하였다. 초음파를 가해주지 않은 시편
은 표면에 특별한 변화가 일어나지 않았으나, 초음파 진동자의 주파수가 40 kHz와 130 kHz인 초음파 발생조에서 실험한
시편을 관찰한 결과, 가해준 초음파의 주파수가 높을수록 다공성 실리콘 층의 기공의 크기가 더 커지고 실리콘 표면에서
의 에칭이 더 균일하게 일어났다. 후면접촉 에칭조와 current shield를 이용한 결과 다공성 실리콘 층 전면에 걸쳐 균일하
게 기공이 발생하였다. 다공성 실리콘 층의 기공의 크기는 전류밀도가 증가함에 따라 함께 증가하였고, 에칭 시간에는 영
향을 받지 않았다.

영어초록

Porous silicon film is fabricated by electrochemical etching in a chemical mixture of HF and ethanol. Effects
of Si type, Si resistivity, ultrasonic frequency, current density and etching time on surface morphology of PS film were
studied. Electrochemical etching in ultrasonic bath promotes the uniformity of porous layer of Si. Frequency of ultrasonic
was increased from 40 kHz to 130 kHz to obtain uniform pores on the Si surface. When current density was higher, the
sizes of pores were larger. The new etching cell using back contact metal and current shield help to overcome nonhomogeneity
and current crowding effect, and then leads to fabricate uniform pores on the Si surface. The distribution
of pore size shows no notable tendency with etching time.

참고자료

· 없음