Transmission Line Model을 이용한 InAs 나노와이어의 오믹접촉 특성 연구 (Characterization of the Ohmic-contact Properties of an InAs Nanowire by Using the Transmission Line Model)

서지정보

· 발행기관 : 한국물리학회
· 수록지 정보 : 새물리 / 65권 / 10호 / 961 ~ 965페이지
· 저자명 : 조민혁, 최찬호, 신재철

초록

본 논문에서는 무촉매 자발형성 방식으로 InAs 나노와이어를 성장하고, transmission line model (TLM) 방법을 이용하여 성장된 InAs 나노와이어와 메탈 간의 접촉저항 및 나노와이어의 전기적 특성을 분석하였다. InAs 나노와이어 성장을 위해 화학기상증착 장치가 이용되었으며, 성장된 InAs 나노와이어는 수십 마이크로미터의 길이까지 성장되어도 길이에 따라 일정한 직경을 가지는 특징을 보였다. 일정한 직경을 가지는 나노와이어는 TLM 방법의 측정에서 메탈의 접합면적을 간단하게 예측할 수 있어, 반도체-메탈 접촉저항을 좀더 정확하게 측정할 수 있다. 또한 수십 마이크로미터 길이까지 성장된 InAs 나노와이어는 포토리소그라피 공정을 통한 TLM 패턴 제작을 가능하게 하였다. 작은 메탈 접촉 면적으로 인해 오믹 접합이 특히 중요한 나노와이어 소자에서 접촉 저항을 간단하고 정확하게 측정할 수 있는 방법은 나노와이어를 기반으로 하는 전기 및 광전소자의 특성을 향상 시키는 데 기여할 수 있다.

영어초록

In this paper, we examined the metal contact resistance of an InAs nanowire by using the transmission line model (TLM). The InAs nanowires were grown via a catalyst-free, self-assembled growth method using metal-organic chemical-vapor deposition (MOCVD). The heights of the InAs nanowires exceeded 20 μm, but their diameters were very uniform along the growth axis. The metal contact resistance of the InAs nanowire was dramatically reduced by using a rapid thermal annealing (RTA) process. In a nanowire-based device, minimizing the metal contact resistance is essential because of the very small metal-semiconductor contact area. The transmission line model for semiconductor nanowires demonstrated here can contribute to improving the electrical properties of nanowire-based devices.

참고자료

· 없음