산화물반도체 트랜지스터 안정성 향상 연구 (Investigation on the Stability Enhancement of Oxide Thin Film Transistor)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 26권 / 5호 / 351 ~ 354페이지
· 저자명 : 이상렬

초록

실리콘아연주석산화물반도체를 스퍼터링 방식으로 증착하여 박막트랜지스터를 제작하였다. 전기적 특성이 어닐링 방식에 따라 변화하였으며 특히 습식 어닐링이 전기적 특성중에서도 안정성 향상에 크게 도움이 되었슴을 밝혔다. 박막표면에서 어닐링효과에 따라 부이온의 탈착에 기인한다. 왜냐하면 채널층의 원소인 실리콘은 다른 원자들에 비해 산소결합력이 강해 산소공공형성을 억제하여 결과적으로 산소공공생성억제제 역할을 하며 안정성에 기여하였다.

영어초록

Thin-film transistors(TFTs) with silicon-zinc-tin-oxide(SiZnSnO, SZTO) channel layer are fabricated by rf sputtering method. Electrical properties were changed by different annealing treatment of dry annealing and wet annealing. This procedure improves electrical property especially, stability of oxide TFT. Improved electrical properties are ascribed to desorption of the negatively charged oxygen species from the surfaces by annealing treatment. The threshold voltage (Vth) shifted toward positive as increasing Si contents in SZTO system. Because the Si has a lower standard electrode potential (SEP)than that that of Sn, Zn, resulting in the degeneration of the oxygen vacancy (VO). As a result, the Si acts as carrier suppressor and oxygen binder in the SZTO as well as a Vth controller, resulting in the enhancement of stability of TFTs.

참고자료

· 없음