박막트랜지스터의 병렬형 가역과 비가역 문턱전압 이동에 대한 모델링 (Modeling of Reversible and Irreversible Threshold Voltage Shift in Thin-film Transistors)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 29권 / 7호 / 387 ~ 393페이지
· 저자명 : 정태호

초록

많은 박막트랜지스터들에서 문턱전압 이동이 관측되고 있으며, 시간에 따른 문턱전압의 이동은 stretched-exponential 또는 stretched-hyperbola 모델로 표현이 가능하다. 이러한 분석모델은 문턱전압을 발생시키는 결함생성 또는 전하포획 반응에 대한 운동방정식에서 유도된 것이며, 이 반응들은 가역적인 특성을 가져야 한다. 실제의 박막트랜지스터에서는 영구적으로 문턱전압을 이동시키는 비가역적인 반응이 존재하기 때문에 가역반응과 비가역반응이 모두 존재하는 것으로 고려해야 한다. 본 논문에서는 이 두 반응들이 병렬로 존재하는 상황에 대한 모델을 만들고, 두 반응들에 의해 발생할 수 있는 복합적인 문턱전압의 이동들을 시뮬레이션하였다. 이 결과 박막트랜지스터에서 두 반응이 비슷한 시간대에 발생한 경우에 관측된 복합적인 문턱전압의 이동 형태가 분석모델과 거의 일치하게 되며, 이 관측 데이터만으로는 두 종류의 반응이 동시에 발생한 것을 알기 어렵다는 것을 보였다.

영어초록

Threshold voltage shift has been observed from many thin-film transistors (TFTs) and the time evolution of the shift can be modeled as the stretched-exponential and -hyperbola function. These analytic models are derived from the kinetic equation for defect-creation or charge-trapping and the equation consists of only reversible reactions. In reality TFT’s a shift is permanent due to an irreversible reaction and, as a result, it is reasonable to consider that both reversible and irreversible reactions exist in a TFT. In this paper the case when both reactions exist in parallel and make a combined threshold voltage shift is modeled and simulated. The results show that a combined threshold voltage shift observed from a TFT may agrees with the analytic models and, thus, the analytic models don’t guarantee whether the cause of the shift is defection-creation or charge-trapping.

참고자료

· 없음