주야간 재배 온도별 무(Raphanus sativus var. hortensis)의 생육 특성 및 생산성 (Growth and Productivity of Radish (Raphanus sativus var. hortensis) under Different Day/Night Temperatures)

서지정보

· 발행기관 : 한국원예학회
· 수록지 정보 : 원예과학기술지 / 40권 / 2호 / 168 ~ 178페이지
· 저자명 : 오서영, 문경환, 신민지, 이성은, 고석찬

초록

본 연구에서는 주야간 온도를 달리한 조건(14/8°C, 19/13°C, 24/18°C, 29/23°C, 34/28°C)에서 무(R. sativus var. hortensis)를 재배하였을 때, 광계II 활성, 영양생장 및 생산성에 미치는 영향을 다각적으로 살펴보았다. 무 종자의 발아는 BBCH 09 단계를 기준으로 하였을 때 24/18°C 이상의 온도에서 발아가 잘 이루어졌다. 그러나, 29/23°C 이상의 온도에서는 하배축 신장이 빨라 뿌리가 비정상적으로 만곡되는 양상을 보였다. 파종 30일 이후 지상부와 지하부의 생장은 24/18°C에서 가장 길고 무거웠으며, 24/18°C 이상의 온도에서는 잎의 발달이 파종 후 30일에 BBCH 19 단계에 이르러 엽수도 많고 엽면적도 넓어지는 등 지상부의 생장 속도가 빨랐다. 반면에 뿌리는 24/18°C 이하의 온도에서 더 길고 굵었으며, 24/18°C에서 BBCH 47 단계인 뿌리가 70% 정도 비대한 상태로 발달하는데 필요한 기간이 70일 이내로 나타났다. 지하부의 직경은 24/18°C에서 파종 후 80일 이내에 10cm 이상으로 굵었고 내부 갈변도 발생하지 않아서, 가장 무거우면서 굵고 길게 뻗은 품질이 양호한 무를 생산할 수 있었다. 또한 광계II의 최대 광화학적 효율(Fv/Fm)도 24/18°C 이하의 온도에서 높았으며, 엽면적당 흡수되는 빛에너지(ABS/CSm)와 광계II의 반응중심에 포획되는 에너지(TRo/CSm), 전자전달로 전해지는 에너지(ETo/CSm)가 모두 높아져 무가 온도 스트레스 없이 잘 자랄 수 있는 조건임을 알 수 있다. 그러나, 무의 외형적인 상품성과 크기나 무게 등 생산성을 감안하였을 때 무의 재배는 24/18°C에서 수행하는 것이 적절한 것으로 보인다.

영어초록

In this study, we investigated the photosystem II photochemical efficiency (variable to maximum fluorescence ratio, Fv/Fm), vegetative growth, and productivity of radish (Raphanus sativus var. hortensis) grown under different day/night temperatures (14/8°C, 19/13°C, 24/18°C, 29/23°C, and 34/28°C). Radish seed germination rates corresponding to Biologische Bundesanstalt, Bundessortenamt und Chemische Industrie (BBCH) stage 09 occurred readily at temperatures higher than 24/18°C, whereas hypocotyls elongated rapidly to cause abnormal root curving above 29/23°C. Shoots and roots grew well at 30 days after sowing (DAS). Leaves developed rapidly at temperatures above 24/18°C, reaching BBCH stage 19 at 30 DAS, during which leaf number and area increased, whereas roots showed better development at temperatures below 24/18°C, taking ~70 days for 70% of roots to attain BBCH stage 47 at 24/18°C. Root growth rates were highest at 24/18°C, with root diameters reaching ≥ 10 cm within 80 DAS at 24/18°C. At 85 DAS, high-quality roots, i.e., thick and long with no internal browning, were produced at 24/18°C. Fv/Fm was high at temperatures below 24/18°C, and absorption flux per cross-section (ABS/CSm), trapped energy flux per cross section (TRo/CSm), and electron transport per cross section (ETo/CSm) were high at 19/13°C and 24/18°C. These findings indicate that radish plants grew well and without temperature stress at 19/13°C and 24/18°C. However, the optimal day/night temperature for producing high-quality radish roots of marketable size and weight is 24/18°C.

참고자료

· 없음