TCAD 시뮬레이션을 이용한 Fin형 SONOS Flash Memory의 모서리 효과에 관한 연구 (A Study on the Corner Effect of Fin-type SONOS Flash Memory Using TCAD Simulation)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 25권 / 2호 / 100 ~ 104페이지
· 저자명 : 양승동, 이가원, 오재섭, 윤호진, 정광석, 김유미, 이상율, 이희덕

초록

Fin-type SONOS 플래시 메모리는 일반적인 SONOS 플래시 메모리 소자보다 뛰어난 컨트롤을 가져 짧은 채널 효과를 극복하는 새로운 장치로 등장했다. 하지만 이러한 장점에도 불구하고 corner effect와 같은 원하지 않는 특성들도 또한 나타나고 있다. 보통 corner effect는 누설 전류를 증가시켜 성능을 악화시킨다. 본 논문에서는 3차원 공정과 소자 시뮬레이션을 사용하여 일반적인 SONOS 소자와 비교해, fin-type SONOS 플래시 메모리의 corner effect를 연구하였다. 그 결과 3차원 구조에서 향상된 메모리 특성을 나타내지 못한 원인은 이전에 연구되었던 fin 구조에서 전계의 상호간섭 영향뿐만 아니라 corner effect와 같은 원하지 않는 특성이 나타나기 때문이다.

영어초록

Fin-type SONOS (silicon-oxide-nitride-oxide-silicon) flash memory has emerged as novel devices having superior controls over short channel effects(SCE) than the conventional SONOS flash memory devices. However despite these advantages, these also exhibit undesirable characteristics such as corner effect. Usually, the corner effect deteriorates the performance by increasing the leakage current. In this paper, the corner effect of fin-type SONOS flash memory devices is investigate by 3D Process and device simulation and their electrical characteristics are compared to conventional SONOS devices. The corner effect has been observed in fin-type SONOS device. The reason why the memory characteristic in fin-type SONOS flash memory device is not improved, might be due to existing undesirable effect such as corner effect as well as the mutual interference of electric field in the fin-type structure as reported previously.

참고자료

· 없음