N-polar면의 선택적 에칭 방법을 통한 Free-standing GaN 기판의Bowing 제어 (Control of Bowing in Free-standing GaN Substrate by Using Selective Etching of N-polar Face)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 29권 / 1호 / 30 ~ 34페이지
· 저자명 : 전대우, 김진원, 손호기, 임태영, 이미재, 김진호, 이영진, 황종희, 이혜용, 윤대호

초록

본 연구는 전기화학에칭법 통하여 freestanding GaN 기판의 N-polar 면에 선택적 에칭을 적용하고, freestanding GaN 기판의 휘어짐과 응력에 미치는 영향을 평가하였다. 전기화학에칭법은 오목한 형태와 볼록한 형태의 FS-GaN 기판에 각각 적용하였다. 그 결과, 전기화학에칭 후 두 종류의 FS-GaN의 N-polar면에 nano porous 구조가 형성되었으며, 볼록한 형태의 FS-GaN 기판의 휘어짐은 감소하였고, XRD-RC 반치폭 또한 601 arcsec에서 259 arcsec로 크게 감소하는 것을 확인하였다. 하지만, 오목한 형태의 FS-GaN 기판의 휘어짐과 XRD-RC 반치폭은 증가하였다. 이와 같이 FS-GaN에 전기화학에칭법을 적용할 경우, N-polar 면의 압축응력이 충분히 완화되어, 볼록한 형태의 FS-GaN 기판의 휘어짐 감소에 매우 효과적임을 라만 측정으로 확인하였다.

영어초록

In this paper, we report that selective etching on N-polar face by EC (electro-chemical)-etching effect on the reduction of bowing and strain of FS (free-standing)-GaN substrates. We applied the EC-etching to concave and convex type of FS-GaN substrates. After the EC-etching for FS-GaN, nano porous structure was formed on N-polar face of concave and convex type of FS-GaN. Consequently, the bowing in the convex type of FS-GaN substrate was decreased but the bowing in the concave type of FS-GaN substrate was increased. Furthermore, the FWHM (full width at half maximum) of (1 0 2) reflection for the convex type of FS-GaN was significantly decreased from 601 to 259 arcsec. In the case, we confirmed that the EC-etching method was very effective to reduce the bowing in the convex type of FS-GaN and the compressive stress in N-polar face of convex type of FS-GaN was fully released by Raman measurement.

참고자료

· 없음