혼합기체 O2/Ar+O2 농도 변화가 Mn 도핑된 SnO2 투명전도막의 상 안정성에 미치는 영향 (Effect of O2/Ar+O2 concentration on phase stability of transparent Mn doped SnO2 monolayer film)

서지정보

· 발행기관 : 한국결정성장학회
· 수록지 정보 : 한국결정성장학회지 / 31권 / 4호 / 154 ~ 158페이지
· 저자명 : 김태근, 장건익

초록

550 nm 파장대에서 O2/Ar+O2 혼합기체 농도비가 0에서 7.9 %로 변화 시 Mn 도핑된 SnO2 투명전도막의 투과율은 80.9에서 85.4 %로 밴드갭 에너지는 3.0에서 3.6 eV로 증가하였다. 비저항은 O2/Ar+O2 혼합기체 농도비가 0에서 2.7 %까지 증가 시 3.21 Ω·cm에서 0.03 Ω·cm으로 감소하다 이후 7.9 %로 증가 시에는, 52.0 Ω·cm으로 급격하게 상승하였다. XPS 분석결과 혼합기체 O2/Ar+O2에서 O2 농도의 증가로 Sn3d5/2의 결합에너지가 486.40에서 486.58 eV로, O1s의 결합에너지도530.20에서 530.34 eV로 조금 변화하였다. 따라서 스파터링 방법으로 제조한 Mn 도핑된 SnO2 투명전도막에서 O2 농도변화에 따라 SnO와 SnO2 2개의 상이 공존하는 것을 확인하였다.

영어초록

The optical transmittance of Mn-doped SnO2 monolayer film increased gradually from 80.9 to 85.4 % at 550 nm wavelengths upon increasing the O2/Ar+O2 concentration rate from 0 to 7.9 % and the band gap energy changed from 3.0 to 3.6 eV. The resistivity tended to decrease from 3.21 Ω·cm to 0.03 Ω·cm, reaching a minimum at 2.7 %, and then gradually increased from 0.03 to 52.0 Ω·cm at higher O2/Ar+O2 gas concentration ratio. Based on XPS spectra analysis, the Sn 3d5/2 peak of Mn-doped SnO2 single layer shifted slightly from 486.40 to 486.58 and O1s peak a lso shifted f rom 530.20 to 530.33 eV with increase the O2/Ar+O2 concentration ratio. Therefore, the XPS spectra results indicate that a multiphase with SnO and SnO2 coexisted in the sputtered Mn-doped SnO2 monolayer film.

참고자료

· 없음