SiO2/Al2O3 적층 감지막의 두께 최적화를 통한 고성능 Electrolyte-insulator-semiconductor pH 센서의 제작 (Thickness Optimization of SiO2/Al2O3 Stacked Layer for High Performance pH Sensor Based on Electrolyte-insulator-semiconductor Structure)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 25권 / 1호 / 33 ~ 36페이지
· 저자명 : 구자경, 조원주, 장현준

초록

본 연구에서 고성능의 pH 센서 제작을 위해 Al2O3 두께에 따른 SiO2/Al2O3 (OA) 적층 감지막의 감지감도 평가가 EIS 구조에서 평가되었다. 5 nm의 SiO2 산화물에 Al2O3 감지막을 각각 5 nm, 15 nm, 23 nm, 50 nm, 100 nm를 적층하였다. OA 감지막의 전기적인 특성 평가와 감지감도 특성은 MIS (metal-insulator-semiconductor), EIS (electrolyte-insulator-semiconductor) 소자를 이용하여 측정하였다. 그 결과 23 nm의 Al2O3를 감지막으로 갖는 OA 적층구조에서 훌륭한 EIS 센서의 감지감도특성을 나타내었고, 향상된 신호 대 잡음비를 보였다.

영어초록

In this study, the thickness effects of Al2O3 layer on the sensing properties of SiO2/Al2O3 (OA)stacked membrane were investigated using electrolyte-insulator-semiconductor (EIS) structure for high quality pH sensor. The Al2O3 layers with a respective thickness of 5 nm, 15 nm, 23 nm, 50 nm, and 100nm were deposited on the 5-nm-thick SiO2 layers. The electrical characteristics and sensing properties of each OA membranes were investigated using metal-insulator-semiconductor (MIS) and EIS devices,respectively. As a result, the OA stacked membrane with 23-nm-thick Al2O3 layer shows the excellent characteristics as a sensing membrane of EIS sensor, which can enhance the signal to noise ratio.

참고자료

· 없음