SiC 기판상에 반응 스퍼터링에 의해 형성된 TiO2막의 수소가스 검지 특성 (Hydrogen Detection of Titanium Dioxide Layer Formed by Reactive Sputtering on SiC Substrates)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 29권 / 12호 / 809 ~ 813페이지
· 저자명 : 김성진

초록

고온용 센서를 개발하기 위해 SiC 기판을 이용한 MIS구조의 수소가스 센서를 연구하였다. 센서는 Pd/TiO2/SiC 구조로 이루어졌으며, 감도를 개선하기 위해 티타늄 산화막 (TiO2)을 이용하였다. 센서의 성능 평가를 위해 상온으로부터 400°C까지 2,000 ppm의 수소농도의 범위내에서 전류-전압 특성과 정전용량의 변화를 측정하였고, 그결과 TiO2 박막을 이용하여 제작한 수소가스 센서는 고온 응용에 가능성을 확인할 수 있었다.

영어초록

We investigated a SiC-based hydrogen gas sensor with MIS (metal-insulator-semiconductor) structure for high temperature applications. The sensor was fabricated by Pd/TiO2/SiC structure, and a thin titanium dioxide (TiO2) layer was exploited for sensitivity improvement. In the experiment, dependences of I-V characteristics and capacitance response properties on hydrogen gas concentrations from 0 to 2,000 ppm were analyzed at room temperature to 400℃. As the result, our sensor using TiO2 dielectric layer showed possibilities with regard to use in hydrogen gas sensors for high-temperature applications.

참고자료

· 없음