오존 산화에 의해 형성된 터널 실리콘 산화막의 표면 패시베이션 (Surface Passivation of Tunnel Silicon Oxide Grown by Ozone Oxidation)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 31권 / 5호 / 341 ~ 344페이지
· 저자명 : 백종훈, 조영준, 장효식

초록

실리콘 태양전지의 고효율화를 위해서는 실리콘 계면에서의 전기적 손실을 최소화하는 패시베이션 특성이 요구된다. 본 논문에서는 오존에 의해 형성된 산화막의 터널 실리콘 산화막으로서 적용가능성을 평가하였다. 먼저, 오존 산화의 조건 가변을 통해 실리콘 산화막을 제작하고, 기존 질산용액에 의해 형성된 산화막과 특성을 비교했다. 오존 산화는 17.5 wt%의 오존농도에서 300~500℃의 온도 가변을 통해 최적화된 산화막 조건을 찾았고, 질산에 의해 형성된 산화막과 패시베이션 효과를 비교 분석하였다. 기존에 형성시킨 실리콘 산화막 특성과 비교하였을때, 질산 산화에 의해 형성된 산화막보다 오존 산화에서 의해 형성된 산화막의 iVoc(implied open circuit voltage)가 약 20mV 향상되었고, 질산 전처리 후 오존 산화에 의해서 형성된 산화막 약 30mV의 향상을 보였다.

영어초록

In order to achieve a high efficiency for the silicon solar cell, a passivation characteristic that minimizes theelectrical loss at a silicon interface is required. In this paper, we evaluated the applicability of the oxide film formedby ozone for the tunnel silicon oxide film. To this end, we fabricated the silicon oxide film by changing the conditionof ozone oxidation and compared the characteristics with the oxide film formed by the existing nitric acid solution. Theozone oxidation was formed in the temperature range of 300~500℃ at an ozone concentration of 17.5 wt%, and thepassivation characteristics were compared. Compared to the silicon oxide film formed by nitric acid oxidation, impliedopen circuit voltage (iVoc) was improved by ~20 mV in the ozone oxidation and the ozone oxidation after the nitricacid pretreatment was improved by ~30 mV.

참고자료

· 없음