Ga이 첨가된 Zn0-SnO2막의 구조적 및 전기적 특성 (Structural and Electrical Properties of Ga-doped ZnO-SnO2 Films)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 24권 / 8호 / 641 ~ 646페이지
· 저자명 : 박기철, 마대영

초록

Ga이 첨가된 ZnO-SnO₂ (ZSGO) 투명막을 rf magnetron sputtering으로 제조한 후 제조된 막의 구조적 및 전기적 특성 을 조사하였다. 타겟을 제조하기 위하여, 무게비 1:1로 썩은 ZnO 및 SnO₂ 분말에다 3.0 wt%의 Ga를 첨가한 후 이것을 800℃ 에서 1시간 동안 소성시켰다. 스퍼터링 시 기판온도를 상온에서 300℃ 까지 변화시켰다. XRD와 SEM을 사용하여 막의 결정성 및 표면형상을 조사하였다. ZSGO막의 투과율을 측정하였으며, 흡수계수를 이용하여 에너지갭을 구하였다. 기판온도에 따른 저항율의 변화를 조사하였으며, Auger electron spectroscopy를 사용하여 막에 포함된 Zn, Sn, Ga 및 O의 원자비를 분석하였다. Ga을 첨가하여 증착한 ZnO-SnO₂ 막은 가시광영역 투과율 80% 이상, 저항율 106 Ωcm 이상을 나타내었다.

영어초록

Ga-doped ZnO-SnO₂ (ZSGO) films were deposited by rf magnetron sputtering and their structural and electrical properties were investigated. In order to fabricate the target for sputtering, the mixture of ZnO, SnO₂ (1:1 weight ratio) and Ga₂O₃ (3.0 wt%) powder was calcined at 800℃ for 1 h. The substrate temperature was varied from room temperature to 300℃. The crystallographic properties and the surface morphologies of the films were studied by X-ray diffraction (XRD) and Scanning Electron Microscopy (SEM). The optical transmittances of the films were measured and the optical energy band gaps were obtained from the absorption coefficients. The resistivity variation with substrate temperature was measured. Auger electron spectroscopy was employed to find the atomic ratio of Zn, Sn, Ga and O in the film deposited at room temperature. ZSGO films exhibited the optical transmittance in the visible region of more than 80% and resistivity higher than 10 Ωcm.

참고자료

· 없음