BCl3/Ar 유도결합 플라즈마 안에 CH4 가스 첨가에 따른 건식 식각된 TaN 박막 표면의 연구 (A Study on the Surface of the Dry Etched TaN Thin Film by Adding The CH4 Gas in BCl3/Ar Inductively Coupled Plasma)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 26권 / 5호 / 335 ~ 340페이지
· 저자명 : 우종창, 최창억, 양우석, 주영희, 강필승, 전윤수, 김창일

초록

본 연구에서는 CH4/BCl3/Ar 플라즈마 안에서 식각된 TaN 박막 표면의 특성을 연구하였다. 이때 CH4/BCl3/Ar=3:4:16 sccm 플라즈마 안에서 TaN 박막의 최고 식각속도는 104.3 nm/min 확인 할 수 있었다. BCl3/Ar(4:16 sccm)의 가스 조건에서 3 sccm의 CH4 가스를 첨가하였을 때 가장 높은 식각속도를 얻었다. 또한, 3 sccm 이상의 CH4 가 첨가될 경우 식각 속도는 줄어들었으나, TaClx와 같은 식각 부산물을 감소시켜 깨끗한 TaN 표면을 얻을 수 있는 것으로 판단된다. TaN 박막을 XPS을 이용하여, CH4/BCl3/Ar 플라즈마 안에서 식각된 TaN 박막 표면의 화학적 반응을 확인하였다. 또한, 식각된 TaN 박막 표면의 반응을 확인하기 위해 FE-SEM을 통해서 확인할 수 있었다.

영어초록

In this study, the plasma etching of the TaN thin film with CH4/BCl3/Ar gas chemistries was investigated. The etch rate of the TaN thin film and the etch selectivity of TaN to SiO2 was studied as a function of the process parameters, including the amount of CH4. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM) was used to investigate the chemical states of the surface of the TaN thin film.

참고자료

· 없음