플라즈마 진단에 의한 PECVD SiO₂ 증착의 불균일성 원인 연구 (The Study on the Non-Uniformity of PECVD SiO₂Deposition by the Plasma Diagnostics)

서지정보

· 발행기관 : 한국전기전자재료학회
· 수록지 정보 : 전기전자재료학회논문지 / 24권 / 2호 / 89 ~ 94페이지
· 저자명 : 함용현, 이현우, 권광호

초록

본 연구는 플라즈마 진단을 통해 대면적에서의 PECVD SiO₂증착의 불균일 증착 원인을 연구하였다. 챔버내의 플라즈마 활성종의 공간적 분포를 랑뮤어프로브와 새롭게 디자인된 프로브 타입의 사중극 질량분석기를 통해 얻었다. 플라즈마 활성종의 공간적 분포와 SiO₂박막의 증착속도 사이의 관계로 부터, SiO₂박막의 불균일 증착은 산소 라디칼의 밀도와 전자 온도의 공간적 분포와 밀접한 관련이 있는 것을 확인하였다.

영어초록

The cause of the thickness non-uniformity in the large area deposition of SiO₂films by PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) was investigated by the plasma diagnostics. The spatial distribution of the plasma species in the chamber was obtained with DLP(Double Langmuir Probe)and the new-designed probe-type QMS(Quadrupole Mass Spectrometer). From the relationship between the spatial distribution of the plasma species and the depositing rate of the SiO₂films, it was conformed that the non-uniform deposition of SiO₂films was related with the spatial distribution of the oxygen radical density and electron temperature.

참고자료

· 없음